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本实用新型提供一种绝缘栅双极晶体管，晶体管包括元胞区、终端区和划片槽；所述元胞区包括多晶硅栅电极、发射极、与所述发射极连接的N+发射区和P+发射区、N阱区、P阱区、N-衬底、透明集电极区和集电极。本实用新型多级场板中的氮氧化硅层有腐蚀阻挡层...
该专利属于中国电力科学研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中国电力科学研究院授权不得商用。

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