温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体器件及其制造方法。使用倒梯形切割刀片，对n型半导体基板（1）执行切割工作，以形成将要成为第二侧壁（7）的沟槽。沟槽的底部与p型扩散层（4）相接触，p型扩散层（4）形成于n型半导体基板（1）的第一主平面（2）（正面）上，使得p...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。