半导体结构及其形成方法技术

本发明专利技术揭示一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括半导体基底、N型金属氧化物半导体装置在上述半导体基底的表面，其中上述N型金属氧化物半导体装置具有与半导体基底具有肖特基接触的肖特基源极/漏极延伸区。上述一种半导体结构还包括P型金属氧化物半导体装置在上述半导体基底的上述表面，其中上述P型金属氧化物半导体装置具有源极/漏极延伸区，上述源极/漏极延伸区仅仅具有非金属材料。可为上述P型金属氧化物半导体装置与上述N型金属氧化物半导体装置二者，形成上述肖特基源极/漏极延伸区，其中将上述P型金属氧化物半导体装置形成于具有低价带的半导体层的上方，可减少上述P型金属氧化物半导体装置的肖特基势垒。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置，特别涉及具有肖特基源极/漏极区的金属氧化物半导体(metal-oxi de-semi conductor ；M0S)装置的制造工艺。
技术介绍
在逻辑所支配的世界中，互补式金属氧化物半导体(complementarymetal-oxi de-semi conductor ；CM0S)装置成为基本的逻辑组成单兀(building block)已有数十年的时间。为了实现更高性能并同时实现较高的堆积密度(packing density),而持续缩减装置的尺寸。当互补式金属氧化物半导体装置变得愈来愈小，装置的驱动电流就变·得愈来愈大，而较大的驱动电流需要较小的源极/漏极电阻Rsd。在传统的金属氧化物半导体装置中，Rsd值与源极/漏极区中的掺杂浓度相关。因此，通过增加源极/漏极延伸区与源极/漏极区中的掺杂浓度，可实现较小的Rsd值。在过去，Rsd值的减少无法满足驱动电流增加的需求。肖特基(Schottky)源极/漏极区及源极/漏极延伸区，具有用以与Btt邻的半导体材料形成肖特基接触的金属，因此已发展出用来降低Rsd值。肖特基势垒金属氧化物半导体(Schottky barri本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，包括：半导体基底；N型金属氧化物半导体装置在该半导体基底的表面，该N型金属氧化物半导体装置具有肖特基源极/漏极延伸区，该肖特基源极/漏极延伸区与该半导体基底具有肖特基接触；以及P型金属氧化物半导体装置在该半导体基底的该表面，其中该P型金属氧化物半导体装置具有源极/漏极延伸区，该源极/漏极延伸区仅仅具有非金属材料。

【技术特征摘要】
2007.02.09 US 11/704,4021.一种半导体结构,包括 半导体基底； N型金属氧化物半导体装置在该半导体基底的表面，该N型金属氧化物半导体装置具有肖特基源极/漏极延伸区，该肖特基源极/漏极延伸区与该半导体基底具有肖特基接触；以及 P型金属氧化物半导体装置在该半导体基底的该表面，其中该P型金属氧化物半导体装置具有源极/漏极延伸区，该源极/漏极延伸区仅仅具有非金属材料。2.如权利要求I所述的半导体结构，其中该肖特基源极/漏极延伸区包括金属硅化物。3.如权利要求I所述的半导体结构，其中 该N型金属氧化物半导体装置还包括第一栅极堆叠结构于该半导体基底上、与第一栅极间隔物于该第一栅极堆叠结构的侧壁上； 该P型金属氧化物半导体装置还包括第二栅极堆叠结构于该半导体基底上、与第二栅极间隔物于该第二栅极堆叠结构的侧壁上；以及该第二栅极间隔物厚于该第一栅极间隔物。4.如权利要求I所述的半导体结构，其中该肖特基源极/漏极延伸区中的金属的功函数接近该半导体基底的传导带。5.一种半导体结构的形成方法，包括 提供半导体基底； 形成N型金属氧化物半导体装置在该半导体基底的表面，...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯志欣，陈宏玮，葛崇祜，李文钦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：