一种GaN异质结HEMT器件制造技术

一种GaN异质结HEMT器件，属于半导体器件技术领域。包括衬底、位于衬底表面的InAlN/GaN异质结，InAlN层表面具有栅、源和漏电极，其中漏电极与InAlN层表面形成欧姆接触，而源电极与InAlN层表面形成肖特基接触。本发明专利技术源极采用肖特基接触，其良好的形貌特性使得源极下面GaN中的电场均匀分布，有效地抑制了源极电子注入，减少了GaN泄漏电流及其导致的碰撞电离及栅极泄漏电流，从而提高了器件的关态击穿电压；而漏极仍采用欧姆接触，尽可能降低器件的正向导通电阻，保证器件具有较好的正向电流驱动能力；另外，本发明专利技术与传统工艺兼容，同时栅极和源极之间的距离可以很小，占用晶圆面积较小，从而保证器件成本较低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体器件
，涉及GaN异质结搞电子迁移率晶体管(HEMT)。
技术介绍
氮化镓(GaN)是第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有优良的特性高的临界击穿电场Γ3. 3 X 106V/cm)、高电子迁移率( 2000cm2/V · s )、高的二维电子气(2DEG)浓度ri013cm_2)、良好的高温工作能力。基于GaN材料的 高电子迁移率晶体管(HEMT )在半导体领域已经得到应用，尤其是在射频/微波领域已应用于无线通信、卫星通信等。另外，针对功率电子应用该类器件具有反向阻断电压高、正向导通电阻低、工作频率高等特性，因此可以满足系统对半导体器件更大功率、更低损耗、更高效率、更高频率、更小体积和更恶劣工作环境(如高温)的要求。而基于InAlN/GaN新型异质结构的HEMT更是具有比传统AlGaN/GaN异质结的HEMT更高的沟道电荷密度、更大的驱动电流密度、更低的导通电阻以及更好的高温耐受性而成为未来功率电子器件的极佳选择。另外，由于InAlN势垒层与GaN缓冲层是晶格匹配的。因此在InAlN/GaN异质结中没有应力，这与传统的AlGaN/GaN异质结中由于晶格失本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种GaN异质结HEMT器件，包括衬底（3）、位于衬底（3）表面的GaN层（1）和位于GaN层（1）表面的InAlN层（2）；其中GaN层（1）和InAlN层（2）构成InAlN/GaN异质结，在InAlN/GaN异质结界面处形成二维电子气导电沟道；在InAlN层（2）表面具有栅电极（6）、源电极（5）和漏电极（4），其中源电极（5）和漏电极（4）分处于InAlN层（2）表面相对的两侧，而栅电极（6）处于源电极（5）和漏电极（4）之间；所述漏电极（4）与InAlN层（2）表面形成欧姆接触，所述源电极（5）与InAlN层（2）表面形成肖特基接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周琦，陈万军，尉中杰，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：