无定形氧化物和场效应晶体管制造技术

本发明专利技术涉及无定形氧化物和场效应晶体管。所述无定形氧化物的成分在层厚度方向上变化，并且所述无定形氧化物的电子载流子浓度为1012/cm3或更高且低于1018/cm3。其中，所述无定形氧化物是从由以下所构成的组中选择的任一种：包含从In、Zn和Sn中选择的至少一种元素的氧化物；含有In、Zn和Sn的氧化物；含有In和Zn的氧化物；含有In和Sn的氧化物；含有In的氧化物；以及包含In、Ga和Zn的氧化物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种无定形氧化物。本专利技术还涉及使用无定形氧化物的场效应晶体管。
技术介绍
近年来，作为液晶技术、场致发光(EL)和相关技术发展的结果，平板显示器(FPD) 得以商业化。FPD通过包括场效应薄膜晶体管(TFT )的有源矩阵电路驱动，该薄膜晶体管采用无定形娃薄膜或多晶娃薄膜作为形成在玻璃衬底上的有源层(active layer)。为了得到Fro更小的厚度、更轻的重量和更大的冲击强度，研究了用轻质且柔性的树脂衬底来代替玻璃衬底。但是，因为在该工艺中硅薄膜晶体管的制造需要比较高的温度，所以采用硅薄膜的晶体管不能直接形成在耐热性能较差的树脂衬底上。因此，对于TFT，研究了使用能够在较低温度下形成膜的氧化物半导体薄膜如ZnO 薄膜(日本专利申请公开No. 2003 - 298062)。但是，使用传统氧化物半导体薄膜的TFT还不能提供与使用硅的TFT相同级别的性能。本专利技术涉及一种无定形氧化物，还涉及使用该无定形氧化物的场效应晶体管。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种用于诸如薄膜晶体管(TFT)的半导体器件中的有源层并用作合适的半导体的无定形氧化物，还涉及一种场效应晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无定形氧化物，所述无定形氧化物的成分在层厚度方向上变化，并且所述无定形氧化物的电子载流子浓度为1012/cm3或更高且低于1018/cm3，其中，所述无定形氧化物是从由以下所构成的组中选择的任一种：包含从In、Zn和Sn中选择的至少一种元素的氧化物；含有In、Zn和Sn的氧化物；含有In和Zn的氧化物；含有In和Sn的氧化物；含有In的氧化物；以及包含In、Ga和Zn的氧化物。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐野政史，中川克己，细野秀雄，神谷利夫，野村研二，
申请(专利权)人：佳能株式会社，国立大学法人东京工业大学，
类型：发明
国别省市：