【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种变频器模块温升的测试电路,特别涉及一种变频器IGBT模块的温升测试电路,主要适用于变频器IGBT器件的功率测试,用来考察IGBT、电抗器等器件的温升。
技术介绍
变频器的主要发热部位在功率器件部分,对四象限变频器的整流和逆变部分、二象限变频器的逆变部分,目前主流变频器均采用IGBT模块,IGBT作为电压型控制器件,具有输入阻抗高、开关损耗小、通断速度快、工作频率高、功率容量大等优点。一般情况下流过IGBT的电流都比较大,开关频率较高,其损耗也比较大,如果变频器柜内散热结构设计不合理,功率器件产生的热量不能及时散掉,将使器件的结温超过其设计最大值,导致IGBT损坏,这就需要在变频器装配完成以后,测试IGBT模块的热性能,以判断其能否符合设计要求,所以一种简单可靠的功率测试方法是验证IGBT模块是否设计合理必不可少的步骤,而针对目前主流的大功率变频器,尤其是四象限运行变频器,IGBT模块数量很多,在单独进行IGBT模块的温升测试时,一般是用大功率变压器来提供大功率在测试车间进行其温升测试的,存在测试时间长,损耗功率大,测试功 ...
【技术保护点】
一种变频器IGBT模块温升的测试电路,包括第一组被测IGBT模块(1)、第二组被测IGBT模块(2)、负载电抗器(3)、第一接口电路板(7)、第二接口电路板(8)和工业控制机(9),其特征在于,第一组被测IGBT模块(1)的直流侧和第二组被测IGBT模块(2)的直流侧是连接在一起的,并通过公共直流母线与外接直流电源连接在一起,第一组被测IGBT模块(1)的逆变侧和第二组被测IGBT模块(2)的逆变侧通过共同的负载电抗器(3)连接在一起,形成一个背靠背运行的拓扑结构,电网(10)通过调压器(6)与整流柜(5)连接在一起,整流柜(5)的电压输出正端与公共直流母线的正端连接在一起 ...
【技术特征摘要】
1.一种变频器IGBT模块温升的测试电路,包括第一组被测IGBT模块(1)、第二组被测IGBT模块(2)、负载电抗器(3)、第一接口电路板(7)、第二接口电路板(8)和工业控制机(9),其特征在于,第一组被测IGBT模块(1)的直流侧和第二组被测IGBT模块(2)的直流侧是连接在一起的,并通过公共直流母线与外接直流电源连接在一起,第一组被测IGBT模块(1)的逆变侧和第二组被测IGBT模块(2)的逆变侧通过共同的负载电抗器(3)连接在一起,形成一个背靠...
【专利技术属性】
技术研发人员:岳凡,兰建军,常国梅,薛昊峰,乌云翔,
申请(专利权)人:北京赛思亿电气科技有限公司,山西汾西重工有限责任公司,
类型:新型
国别省市:北京;11
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