一种IGBT驱动电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种IGBT驱动电路，包括隔离驱动变压器T1、整流电路和用于产生脉冲信号的反激电路；隔离驱动变压器T1包括原边绕组和副边绕组；反激电路含有正脉冲输入端和共地端，其中正脉冲输入端连接第一二极管D1的阳极，第一二极管D1的阴极连接原边绕组的同名端，原边绕组的异名端通过开关连接共地端，形成原边回路；所述的开关连接IGBT的驱动控制端；副边绕组连接整流电路，整流电路含有两个用于连接IGBT门极的输出端口。本实用新型专利技术结构简洁，原边控制信号和原边脉冲信号采用同一个地，副边无须额外的隔离供电电源，驱动信号不受干扰，本实用新型专利技术在低频工作特别是恒定电平工作情况下的IGBT驱动中方便可靠。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电学领域，特别涉及一种IGBT驱动电路。
技术介绍
IGBT(InsulatedGateBipolarTranslator,绝缘栅双极型晶体管)是控制功率常见的全控型电子器件。一般用于控制功率回路的通断。而在IGBT的驱动信号源和IGBT的主回路电源不同地的应用中，需要做隔离驱动。现有单管IGBT驱动方案中有两大类：一类是采用集成驱动芯片，原、副边完全隔离，这种应用适应性比较强，可用于高频、低频等多种场合，可以实现一些本地保护功能。但是需要在原边控制信号的同时，在副边需专门做一组隔离电源，才能保证驱动能力；这种集成控制芯片，对于电路中的干扰比较敏感，容易出现IGBT驱动异常甚至失效，不能实现原副边传能，成本高。另一类，采用变压器驱动，原副边均为适合于IGBT驱动门极的脉冲信号，驱动也比较容易，可以实现原副边传能，不需要多路隔离电源供电。但其缺点为：在对于需要低频驱动特别是恒定电平驱动的应用中束手无策，低频中容易导致变压器磁饱和，不能实现传能，原边短路，不能实现本地保护，其应用范围较窄。【专利技术内容】本技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IGBT驱动电路，其特征在于，包括隔离驱动变压器T1、整流电路和用于产生脉冲信号的反激电路；隔离驱动变压器T1包括原边绕组和副边绕组；反激电路含有正脉冲输入端和共地端，其中正脉冲输入端连接第一二极管D1的阳极，第一二极管D1的阴极连接原边绕组的同名端，原边绕组的异名端通过开关连接共地端，形成原边回路；所述的开关连接IGBT的驱动控制端；副边绕组连接整流电路，整流电路含有两个用于连接IGBT门极的输出端口。

【技术特征摘要】
1.一种IGBT驱动电路，其特征在于，包括隔离驱动变压器T1、整流电路和用于产生脉冲信号的反激电路；隔离驱动变压器T1包括原边绕组和副边绕组；反激电路含有正脉冲输入端和共地端，其中正脉冲输入端连接第一二极管D1的阳极，第一二极管D1的阴极连接原边绕组的同名端，原边绕组的异名端通过开关连接共地端，形成原边回路；所述的开关连接IGBT的驱动控制端；副边绕组连接整流电路，整流电路含有两个用于连接IGBT门极的输出端口。
2.根据权利要求1所述的一种IGBT驱动电路，其特征在于，所述的隔离驱动变压器T1为正激式变压器。
3.根据权利要求1或2所述的一种IGBT驱动电路，其特征在于，所述的原边绕组和副边绕组均为一组。
4.根据权利要求1所述的一种IGBT驱动电路，其特征在于，所述的开关包括三极管Q1及其驱动电路，三极...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁庆民，
申请(专利权)人：西安特锐德智能充电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61