改善型磁隔离IGBT驱动电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种改善型磁隔离IGBT驱动电路，包括驱动发生模块、驱动放大模块、原边隔直电容C1、原边阻尼电阻R1、多绕组驱动变压器、副边自举电容C6、副边自举二极管D2、副边推挽驱动电阻R3、推挽电路Q1，Q2、副边整流二极管D1、副边稳压二极管ZD1、稳压电阻R2、滤波电容C2，C3，C4，C5、以及浮地驱动IGBT。所述电路主要元器件按照图1所示的电器连接方式连接，其驱动发生模块与驱动放大模块为该技术领域中的公知技术。本实用新型专利技术能够在不提供二次侧电源的基础上，改善了传统磁隔离驱动电路不能提供负压关断、抗干扰性较弱的技术缺陷。本实用新型专利技术能适应不同的IGBT，提供可靠、低成本的磁隔离驱动方案。

【技术实现步骤摘要】
改善型磁隔离IGBT驱动电路
本技术涉及一种驱动电路，尤其是一种改善型磁隔离IGBT驱动电路，属于IGBT驱动

技术介绍
随着电力电子技术的快速发展，出现了很多新的性能优秀的拓扑，如DC-AC家族里面的多电平逆变电路，拓扑的快速发展推动了其隔离驱动的需求。正因如此，各种隔离驱动方案应运而生，其中磁隔离驱动方案具有电路简单、不易损坏、低成本等优势，故磁隔离在当今的浮地驱动拓扑中有很高的使用率，但目前基于磁隔离驱动无法提供负压关断、抗干扰能力较弱、不适宜大占空比驱动等缺陷也限制了其更广阔的应用空间。绝缘栅双极晶体管IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既具有功率MOSFET输入阻抗高、工作速度快、易驱动的优点，又具有双极达林顿功率管GTO饱和电压低、电流容量大、耐压高的优点，能正常工作于几十千赫兹频率范围内，故在较高频率的大、中功率设备（如变频器、UPS电源、光伏逆变器、高频焊机等）应用中占据了主导地位。隔离驱动电路的目标是应用有限的器件，提供尽量可能可靠、性能尽量好的隔离驱动方案。目前，传统的磁隔离驱动电路有图1和图2两种方式。其中，图1电路属于传统的磁隔离驱动方案本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善型磁隔离IGBT驱动电路，其特征是：包括隔离驱动变压器、原边驱动电路、副边驱动电路和副边驱动轨电路；所述原边驱动电路包括驱动发生模块、驱动放大模块、原边隔直电容C1和原边阻尼电阻R1；所述隔离驱动变压器包括原边绕组N1、第一副边绕组N2和第二副边绕组N3；所述副边驱动电路包括副边自举电容C6、副边自举二极管D2、副边推挽驱动电阻R3和推挽电路；所述副边驱动轨电路包括副边整流二极管D1、副边稳压二极管ZD1、稳压电阻R2、滤波电容C2、滤波电容C3、滤波电容C4和滤波电容C5；所述原边隔直电容C1和原边阻尼电阻R1串联，并与隔离驱动变压器原边绕组N1串联；所述第一副边绕组N2的一端连接副...

【技术特征摘要】
1.一种改善型磁隔离IGBT驱动电路，其特征是：包括隔离驱动变压器、原边驱动电路、副边驱动电路和副边驱动轨电路；所述原边驱动电路包括驱动发生模块、驱动放大模块、原边隔直电容C1和原边阻尼电阻R1；所述隔离驱动变压器包括原边绕组N1、第一副边绕组N2和第二副边绕组N3；所述副边驱动电路包括副边自举电容C6、副边自举二极管D2、副边推挽驱动电阻R3和推挽电路；所述副边驱动轨电路包括副边整流二极管D1、副边稳压二极管ZD1、稳压电阻R2、滤波电容C2、滤波电容C3、滤波电容C4和滤波电容C5；所述原边隔直电容C1和原边阻尼电阻R1串联，并与隔离驱动变压器原边绕组N1串联；所述第一副边绕组N2的一端连接副边整流二极管D1的正极，副边整流二极管D1的负极分别连接副边稳压二极管ZD1的阴极、滤波电容C2的一端、滤波电容C4的一端和推挽电路；所述第一副边绕组N2的另一端分别连接稳压电阻R2的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：程炜涛，高荣，王海军，叶甜春，
申请(专利权)人：江苏中科君芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32