一种粉末静电喷枪驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种粉末静电喷枪驱动电路，包括移相谐振全桥控制器、全桥MOSFET输出级、高压包电路，该全桥MOSFET输出级由控制极均与移相谐振全桥控制器连接的第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET和第四MOSFET组成，其中，第一MOSFET与第三MOSFET的漏级皆与电源+VOUT连接，第一MOSFET的源级与第二MOSFET的漏级连接且二者连接点与高压包电路其中一输入端GUN‑OUTA连接，第三MOSFET的源级与第四MOSFET的漏级连接且二者连接点与高压包电路另一输入端GUN‑OUTB连接。因选用高度集成移相谐振全桥IC，具有体积小，功率大，效率高，运行可靠。

【技术实现步骤摘要】
一种粉末静电喷枪驱动电路
本技术涉及高压静电喷涂，尤其是一种用于高压静电喷涂产品的粉末静电喷枪驱动电路。
技术介绍
静电喷涂是利用高压静电电场使带负电的涂料微粒沿着电场相反的方向定向运动，并将涂料微粒吸附在工件表面的一种喷涂方法。静电喷涂设备由喷枪、喷杯以及静电喷涂高压电源等组成，其中静电喷涂高压电源是由市电经过高压电容串的多次倍压达到上万伏高压的，这里的高压电容串加上外壳和灌封胶组成俗称的高压包，是由变压器T1、多组高压电容、高压二极管按照图1所示的原理图连接而成，12级总共24倍压，其中，如何设计高压包的驱动电路是产品品质好坏的关键。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术的目的是提供一种提升效率和消除尖峰电压的粉末静电喷枪驱动电路。本技术所采用的技术方案为：一种粉末静电喷枪驱动电路，包括移相谐振全桥控制器、全桥MOSFET输出级、高压包电路，该全桥MOSFET输出级由控制极均与移相谐振全桥控制器连接的第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET和第四MOSFET组成，其中，第一MOSFET与第三MOSFET的漏级皆与电源+VOUT连接，第一MOSFET的源级与第二MOSFET的漏级连接且二者连接点与高压包电路其中一输入端GUN-OUTA连接，第三MOSFET的源级与第四MOSFET的漏级连接且二者连接点与高压包电路另一输入端GUN-OUTB连接，第二MOSFET与第四MOSFET的源级分别接地GND，所述高压包的输入端GUN-OUTA和输入端GUN-OUTB还与移相谐振全桥控制器连接。进一步，所述第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET和第四MOSFET的控制极与移相谐振全桥控制器之间皆设置有一限流电阻。与现有技术相比较，本技术具有以下有益效果：因选用高度集成移相谐振全桥IC，具有体积小，功率大，效率高，运行可靠；同常规自激振荡电路比较，尖峰电压基本完全消除且功率增大1倍，输出级的开关管是在零电压环境下开关；使用适当的工作频率后，可使输出级工作在谐振状态下，从而使逆变输出高频高压正弦波电压供后级的倍压电路；同常规自激振荡电路比较，尖峰电压基本完全消除且功率增大1倍，输出级的开关管是在零电压环境下开关。附图说明下面结合附图对本技术的具体实施方式做进一步的说明。图1为高压包电路的线路图；图2为全桥MOSFET输出级的电路图；图3为移相谐振全桥控制器的电路图；图4为移相谐振全桥控制器的输出时序图。具体实施方式参阅图1-图3所示，为本技术的一种粉末静电喷枪驱动电路，包括移相谐振全桥控制器、全桥MOSFET输出级、高压包电路，该全桥MOSFET输出级由控制极均与移相谐振全桥控制器连接的第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET和第四MOSFET组成，分别为Q311~Q314，其中，第一MOSFET与第三MOSFET的漏级皆与电源+VOUT连接，第一MOSFET的源级与第二MOSFET的漏级连接且二者连接点与高压包电路其中一输入端GUN-OUTA连接，第三MOSFET的源级与第四MOSFET的漏级连接且二者连接点与高压包电路另一输入端GUN-OUTB连接，第二MOSFET与第四MOSFET的源级分别接地GND，所述高压包的输入端GUN-OUTA和输入端GUN-OUTB还与移相谐振全桥控制器连接。进一步，所述第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET和第四MOSFET的控制极与移相谐振全桥控制器之间皆设置有一限流电阻，分别为R311~R314。如图3所示，移相谐振全桥控制器U601提供了四个栅极驱动器：两个浮点高边栅极驱动器HO1和HO2，以及两个接地基准低边栅极驱动器LO1和LO2。每个内部驱动器都具有1.5A峰值灌电流和2A峰值抽电流能力。低边栅极驱动器通过VCC稳压器直接供电。HO1和HO2栅极驱动器分别由连接在BST1/BST2和HS1/HS2之间的自举电容供电。当相应的开关节点(HS1/HS2引脚)为低电平时，连接在VCC(阳极引脚)和BST(阴极引脚)之间的外部二极管通过从VCC充电的自举电容为高边栅极驱动器供电。当高边MOSFET开启时，BST1上升到一个等于VCC+VHS1的峰值电压，式中VHS1是开关节点电压。BST和VCC电容应放在靠近LM5046引脚的位置，以尽量减少由于寄生电感导致的电压瞬变，因为此时到MOSFET栅极的峰值灌电流可能超过1.5A。BST电容的推荐值是0.1μF或更大。应采用低ESR/ESL电容，如表面贴装陶瓷电容，以防止HO状态变换过程中出现的电压降。如图4所示，移相谐振全桥控制器U601的栅极驱动输出的顺序为：最初，在功率传输周期，对角线上的HO1和LO2一起开启，紧跟着是一个续流(free-wheel)周期，此时HO1和HO2保持开启。在后续的相位，对角线上的HO2和LO1开启，跟着是一个续流周期，此时LO1和LO2保持开启。电源传输模式通常被称为主动模式，而续流模式往往被称为被动模式。被动模式和主动模式之间的死区时间TPA是由RD1电阻设置的；主动模式和被动模式之间的死区时间TAP则是由RD2电阻设置的。如果COMP引脚开路，输出将以最大占空比运行。每相位的最大占空比是由RD1电阻设置的死区时间来限制的。如果RD1电阻设置为零，那么由于内部设定的死区时间，最大占空比略低于50％。内部固定死区时间为30ns，它不会随工作频率而变化。以上所述仅为本技术的优先实施方式，本技术并不限定于上述实施方式，只要以基本相同手段实现本技术目的的技术方案都属于本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种粉末静电喷枪驱动电路，其特征在于：包括移相谐振全桥控制器、全桥MOSFET输出级、高压包电路，该全桥MOSFET输出级由控制极均与移相谐振全桥控制器连接的第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET和第四MOSFET组成，其中，第一MOSFET与第三MOSFET的漏级皆与电源+VOUT连接，第一MOSFET的源级与第二MOSFET的漏级连接且二者连接点与高压包电路其中一输入端GUN‑OUTA连接，第三MOSFET的源级与第四MOSFET的漏级连接且二者连接点与高压包电路另一输入端GUN‑OUTB连接，第二MOSFET与第四MOSFET的源级分别接地GND，所述高压包的输入端GUN‑OUTA和输入端GUN‑OUTB还与移相谐振全桥控制器连接。

【技术特征摘要】
1.一种粉末静电喷枪驱动电路，其特征在于：包括移相谐振全桥控制器、全桥MOSFET输出级、高压包电路，该全桥MOSFET输出级由控制极均与移相谐振全桥控制器连接的第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET和第四MOSFET组成，其中，第一MOSFET与第三MOSFET的漏级皆与电源+VOUT连接，第一MOSFET的源级与第二MOSFET的漏级连接且二者连接点与高压包电路其中一输入端GUN-OUTA连接，第三MO...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏强，刘吉林，
申请(专利权)人：中山方圆谷涂装科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44