一种大功率电源中IGBT并联使用的驱动电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种大功率电源中IGBT并联使用的驱动电路，驱动芯片的输入端阳极经过电阻R1与控制电路电源连接在一起，驱动芯片的信号输出脚经电阻R3连接与两个组成推挽结构的功率三极管的基极，两个组成推挽结构的功率三极管的发射极连接在一起作为IGBT的驱动信号分别经电阻R11、R21与R31连接在各IGBT的门极；各IGBT的门极连接在电阻R12、R22以及R32上，各IGBT发射极间连接着瞬态抑制二极管ZD1、ZD2以及ZD3，各自IGBT的发射极经电阻R13、R23以及R33连接至驱动芯片的供电端，本实用新型专利技术突破了IGBT器件电流对电源容量上限的限制，提供了一种多个IGBT可靠并联使用的电路，从而提高了电源容量。

【技术实现步骤摘要】

本技术是一种大功率电源中IGBT并联使用的驱动电路，属于电力设备领域。
技术介绍
现有技术中，电源的功率受IGBT器件的限制，大容量的电源需要用到价格昂贵的大电流的IGBT，甚至没有需要的足够大电流的IGBT器件，因此限制了单机大功率电源的容量，所以需要一种电路来实现增大IGBT器件的电流。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本技术目的是提供一种大功率电源中IGBT并联使用的驱动电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题，本技术使用方便，便于操作，稳定性好，可靠性高。为了实现上述目的，本技术是通过如下的技术方案来实现：一种大功率电源中IGBT并联使用的驱动电路，包括驱动芯片、功率三极管以及IGBT并联驱动的隔离保护电阻，所述驱动芯片的输入端阳极经过电阻R1与控制电路电源连接在一起，所述驱动芯片的信号输出脚经电阻R3连接与两个组成推挽结构的功率三极管的基极，所述两个组成推挽结构的功率三极管的发射极连接在一起作为IGBT的驱动信号分别经电阻R11、R21与R31连接在各IGBT的门极；各IGBT的门极连接在电阻R12、R22以及R32上，各IGBT发射极间连接着瞬态抑制二极管ZD1、ZD2以及ZD3，各自IGBT的发射极经电阻R13、R23以及R33连接至驱动芯片的供电端，各IGBT的集电极分别连接二极管D1、D2以及D3的阴极，二极管D1、D2以及D3的阳极连接在一起并连接至驱动芯片的管压降检测端，驱动芯片的管压降检测端连接在稳压管ZD4的阴极，ZD4的阳极连接在驱动芯片的供电-9V上，光耦PC1的输入端阳极经过电阻R2连接至驱动芯片的供电+15V上，光耦PC1的输入端阴极连接至驱动芯片的保护信号输出端。进一步地，所述驱动芯片的供电分别由与控制电路隔离的+15V和-9V提供。进一步地，二极管D1、D2以及D3的阴极连接在一起并连接至驱动芯片的管压降检测端监测IGBT管压降。进一步地，光耦PC1的输入端阴极连接至驱动芯片的保护信号输出端将驱动芯片监测到的IGBT管压降异常信号送到制电路。本技术的有益效果：本技术的一种大功率电源中IGBT并联使用的驱动电路，驱动芯片的信号输出脚经电阻R3连接于两个组成推挽结构的功率三极管的基极，以此提高驱动芯片的电流输出能力；各IGBT的门极连接在电阻R12、R22以及R32上，各IGBT发射极间连接着瞬态抑制二极管ZD1、ZD2以及ZD3，用于保护IGBT的门极免受击穿；ZD4的阳极连接至驱动芯片的供电-9V上，用于保护驱动芯片的管压降检测端电压过高而被击穿；光耦PC1的输入端阴极连接至驱动芯片的保护信号输出端，用于将驱动芯片监测到的IGBT管压降异常信号送到制电路，本技术突破了IGBT器件电流对电源容量上限的限制，提供了一种多个IGBT可靠并联使用的电路，从而提高了电源容量。附图说明通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1为本技术一种大功率电源中IGBT并联使用的驱动电路示意图；具体实施方式为使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本技术。请参阅图1，本技术提供一种技术方案：一种大功率电源中IGBT并联使用的驱动电路，包括驱动芯片、功率三极管以及IGBT并联驱动的隔离保护电阻，所述驱动芯片的输入端阳极经过电阻R1与控制电路电源连接在一起，所述驱动芯片的信号输出脚经电阻R3连接与两个组成推挽结构的功率三极管的基极，所述两个组成推挽结构的功率三极管的发射极连接在一起作为IGBT的驱动信号分别经电阻R11、R21与R31连接在各IGBT的门极；各IGBT的门极连接在电阻R12、R22以及R32上，各IGBT发射极间连接着瞬态抑制二极管ZD1、ZD2以及ZD3，各自IGBT的发射极经电阻R13、R23以及R33连接至驱动芯片的供电端，各IGBT的集电极分别连接二极管D1、D2以及D3的阴极，二极管D1、D2以及D3的阳极连接在一起并连接至驱动芯片的管压降检测端，驱动芯片的管压降检测端连接在稳压管ZD4的阴极，ZD4的阳极连接在驱动芯片的供电-9V上，光耦PC1的输入端阳极经过电阻R2连接至驱动芯片的供电+15V上，光耦PC1的输入端阴极连接至驱动芯片的保护信号输出端。驱动芯片的供电分别由与控制电路隔离的+15V和-9V提供，二极管D1、D2以及D3的阴极连接在一起并连接至驱动芯片的管压降检测端监测IGBT管压降，光耦PC1的输入端阴极连接至驱动芯片的保护信号输出端将驱动芯片监测到的IGBT管压降异常信号送到制电路。具体实施方式：在进行使用时，首先工作人员对本技术进行检查，检查是否存在缺陷，如果存在缺陷的话就无法进行使用了，此时需要通知维修人员进行维修，如果不存在问题的话就可以进行使用，驱动芯片的信号输出脚经电阻R3连接于两个组成推挽结构的功率三极管的基极，以此提高驱动芯片的电流输出能力；各IGBT的门极连接在电阻R12、R22以及R32上，各IGBT发射极间连接着瞬态抑制二极管ZD1、ZD2以及ZD3，用于保护IGBT的门极免受击穿；ZD4的阳极连接至驱动芯片的供电-9V上，用于保护驱动芯片的管压降检测端电压过高而被击穿；光耦PC1的输入端阴极连接至驱动芯片的保护信号输出端，用于将驱动芯片监测到的IGBT管压降异常信号送到制电路。以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点,对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率电源中IGBT并联使用的驱动电路，包括驱动芯片、功率三极管以及IGBT并联驱动的隔离保护电阻，其特征在于：所述驱动芯片的输入端阳极经过电阻R1与控制电路电源连接在一起，所述驱动芯片的信号输出脚经电阻R3连接与两个组成推挽结构的功率三极管的基极，所述两个组成推挽结构的功率三极管的发射极连接在一起作为IGBT的驱动信号分别经电阻R11、R21与R31连接在各IGBT的门极；各IGBT的门极连接在电阻R12、R22以及R32上，各IGBT发射极间连接着瞬态抑制二极管ZD1、ZD2以及ZD3，各自IGBT的发射极经电阻R13、R23以及R33连接至驱动芯片的供电端，各IGBT的集电极分别连接二极管D1、D2以及D3的阴极，二极管D1、D2以及D3的阳极连接在一起并连接至驱动芯片的管压降检测端，驱动芯片的管压降检测端连接在稳压管ZD4的阴极，ZD4的阳极连接在驱动芯片的供电‑9V上，光耦PC1的输入端阳极经过电阻R2连接至驱动芯片的供电+15V上，光耦PC1的输入端阴极连接至驱动芯片的保护信号输出端。

【技术特征摘要】
1.一种大功率电源中IGBT并联使用的驱动电路，包括驱动芯片、功率三极管以及IGBT并联驱动的隔离保护电阻，其特征在于：所述驱动芯片的输入端阳极经过电阻R1与控制电路电源连接在一起，所述驱动芯片的信号输出脚经电阻R3连接与两个组成推挽结构的功率三极管的基极，所述两个组成推挽结构的功率三极管的发射极连接在一起作为IGBT的驱动信号分别经电阻R11、R21与R31连接在各IGBT的门极；各IGBT的门极连接在电阻R12、R22以及R32上，各IGBT发射极间连接着瞬态抑制二极管ZD1、ZD2以及ZD3，各自IGBT的发射极经电阻R13、R23以及R33连接至驱动芯片的供电端，各IGBT的集电极分别连接二极管D1、D2以及D3的阴极，二极管D1、D2以及D3的阳极连接在一起并连接至驱动芯片的管压降检测端...

【专利技术属性】
技术研发人员：于连广，王昌烨，
申请(专利权)人：济南朗瑞电气有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37