【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ー种IGBT的退饱保护
，尤其涉及ー种三相双电平逆变器的IGBT退饱保护电路及方法。
技术介绍
逆变器的主回路开关器件选用IGBT时，需要对IGBT进行退饱保护，其目的是检测出短路后，在IGBT允许承受的短路时间内关闭IGBT，以保证IGBT安全运行。现有技术中可采取的方法有方法I、利用电流传感器检测IGBT电流并与限幅阀值比较来判断IGBT是否退饱，并通过封锁各路栅极驱动信号来达到切断故障电流以保护IGBT的目的。方法2、使用IGBT专用驱动及保护1C，如PC929、A316J等等。在线监测IGBT的集电极与发射极间电压通态压降UCE，一旦UCE超过内部的保护阀值，则马上降低栅极驱动电压，IGBT软关断，从而切断故障电流。上述方法中，方法I具有简单易实现、硬件投入小的优势，但是其保护效果有限，实际应用发现，方法I在变频器输出被直接短路的情况下保护效果很不理想。方法2在变频器输出被直接短路的情况下保护效果很好(保护參数合适的情况下)，但是IGBT专用驱动及保护IC用量很大，一般是主回路有几个IGBT就需要几个专用驱动及保护1C，驱动板布线复杂...
【技术保护点】
一种变频器的IGBT退饱保护电路，包括主电路拓扑结构，还包括连接主电路拓扑结构的逆变桥IGBT、逆变桥IGBT驱动信号功率隔离及放大电路、逆变桥IGBT驱动信号封锁电路，其特征在于，还包括如下模块：?过流保护IGBT，所述过流保护IGBT串接在主电路拓扑结构的母线上；?过流管驱动及保护电路，所述过流管驱动及保护电路连接所述过流保护IGBT的栅极，主电路拓扑结构的CPU模块连接所述过流管驱动及保护电路；?过流管Uce检测及比较电路，所述过流管Uce检测及比较电路连接在所述过流保护IGBT的集电极和发射极之间，主电路拓扑结构的CPU模块连接所述过流管Uce检测及比较电路；?过流...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张鹏，汪忠益，胡荣杰，曾宪鹏，
申请(专利权)人：上海神源电气有限公司，
类型：发明
国别省市：
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