一种IGBT模块的短路保护模块及保护方法技术

一种IGBT模块的短路保护模块，包括电压检测模块、比较模块和控制模块，该电压模块通过测量IGBT模块主发射极和辅助发射极之间的感生电压来判定IGBT模块短路状态，降低了IGBT模块运行中由于短路造成的损坏、提高IGBT模块应用中的安全性以及提高用户整个应用系统的安全性。同时本发明专利技术还提出了IGBT模块的短路保护方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及绝缘栅双极型晶体管的使用领域，具体地涉及一种绝缘栅双极型晶体管的短路保护模块及保护方法。
技术介绍
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)具有高频率、高电压、大电流、尤其是容易开通和关断的性能特点，是国际上公认的电カ电子技术第三次革命的最具代表性的产品，至今已经发展到第六代，商业化已发展到第五代。目前，IGBT已广泛应用于国民经济的各行业中。IGBT在工作时，短路状态对IGBT是最危险的状态。而IGBT的短路状态又分为ー 类短路和ニ类短路。对于ー类短路状态，即由于IGBT自身原因引起的短路，请參见图1，此时电流不通过负载，直接通过上下桥臂流通，见图中曲线箭头所示，不仅会引起IGBT模块的大量发热，同时，在关断期间会造成很大的电压过冲；对于ニ类短路状态，即由于负载原因引起的短路，见图示中的折线箭头，此时电流从IGBT的输出端直接接地，而驱动电路本身很难进行检测。所以，提高应用过程中IGBT模块的短路检测及保护技术已经至关重要。目前应用中主要采用的方法是，检测工作状态中IGBT模块集电极发射极之间电压Vce，然本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IGBT模块的短路保护模块，所述IGBT模块包括主发射极、主集电极、栅极、辅助发射极和辅助集电极，其特征在于：所述短路保护装置包括电压检测模块，连接于所述主发射极和辅助发射极之间，测量该主发射极和辅助发射极之间的电压，并发送测量结果；比较模块，连接所述电压检测模块，接受并处理电压检测模块的测量结果，并将该测量结果与一电压预设值进行比较，生成电压比较结果；控制模块，当所述电压比较结果为测量结果大于预设值时，该控制模块对该IGBT模块进行分阶段关断。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张强，
申请(专利权)人：西安永电电气有限责任公司，
类型：发明
国别省市：