本实用新型专利技术主要公开了一种LED驱动芯片中的欠压保护电路，包括比较器、晶体三极管、负载电阻一、负载电阻二、两个非门；晶体三极管、负载电阻一、负载电阻二三者形成串联接地，在负载电阻一、负载电阻二的连接点连接至比较器的一个输入端，比较器的另一个输入端连接VDD比较电压，比较器的输出端依次串联两个非门，最终形成输出电压。本实用新型专利技术通过分压采样VCC电压，并与VDD比较电压做比较，实现欠压保护功能。本实用新型专利技术结构简单，应用于LED驱动芯片电路中，可确保驱动芯片中工作电压的稳定性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及LED芯片术领域，特别与ー种LED驱动芯片中的欠压保护电路有关。
技术介绍
LED照明灯做为新一代的照明产品，自身有非常强的优点节能、亮度高、高效率、寿命长、环保等，由于LED照明等有了这些优点，决定了市场前景的广阔，需求的数量巨大。每ー盏LED灯必须要配备ー个LED驱动电源。其中，对于LED路灯的LED驱动电源 成本占整个灯具成本的8% —10% ；LED民用照明灯的LED驱动电源成本占整个灯具成本的3分之一。LED驱动芯片中有些没有欠压保护措施，从而会导致电源电压不稳定的现象。本专利技术人针对LED驱动做了一番研究，设计出ー种LED驱动芯片中的欠压保护电路，本案由此产生。
技术实现思路
本技术的目的是提供ー种LED驱动芯片中的欠压保护电路，结构简单，有效保护芯片工作稳定。为了达到上述目的，本技术通过以下技术方案来实现ー种LED驱动芯片中的欠压保护电路，包括比较器、晶体三极管、负载电阻一、负载电阻ニ、两个非门；晶体三极管、负载电阻一、负载电阻二三者形成串联接地，在负载电阻一、负载电阻ニ的连接点连接至比较器的一个输入端，比较器的另ー个输入端连接VDD比较电压，比较器的输出端依次串联两个非门，最終形成输出电压。所述的两个非门串联之后，通过ー电阻接地。采用上述技术方案后，本技术具有诸多有益效果本技术中的比较器的输入端通过两个负载电阻分压，进行采样，采样后通过分压采样VCC电压，并与VDD比较电压做比较，实现欠压保护功能。本技术结构简単，应用于LED驱动芯片电路中，可确保驱动芯片中工作电压的稳定性。附图说明图I为本技术较佳实施例的电路示意图。具体实施方式结合附图，对本技术较佳实施例做进ー步详细说明。ー种LED驱动芯片中的欠压保护电路，包括比较器I、晶体三极管Q、负载电阻一Rl、负载电阻ニ R2、两个非门Al、A2。输入电压VCC从晶体三极管Q的发射极输入，晶体三极管Q的集电极依次串联负载电阻一 Rl、负载电阻ニ R2,最后接地。其中负载电阻一 Rl、负载电阻ニ R2的串联点形成分压点，接入至比较器I的其中一个输入端，比较器I的另ー个输入端连接VDD比较电压，而比较器I的输出端一次串联两个非门A1、A2，最終形成输出电压。为了确保稳定，在非门A2之后，通过串联ー电阻R3接地。本技术中的比较器I的输入端采样后通过分压采样VCC电压，并与VDD比较电压做比较，实现欠压保护功能。本技术结构简単，应用于LED驱动芯片电路中，可确保驱动芯片中工作电压的稳定性。 上述实施例仅用于解释说明本技术的专利技术构思，而非对本技术权利保护的限定，凡利用此构思对本技术进行非实质性的改动，均应落入本技术的保护范围。权利要求1.ー种LED驱动芯片中的欠压保护电路，其特征在于包括比较器、晶体三极管、负载电阻一、负载电阻ニ、两个非门；晶体三极管、负载电阻一、负载电阻二三者形成串联接地，在负载电阻一、负载电阻ニ的连接点连接至比较器的一个输入端，比较器的另ー个输入端连接VDD比较电压，比较器的输出端依次串联两个非门，最終形成输出电压。2.如权利要求I所述的ー种LED驱动芯片中的欠压保护电路，其特征在于所述的两个非门串联之后，通过ー电阻接地。专利摘要本技术主要公开了一种LED驱动芯片中的欠压保护电路，包括比较器、晶体三极管、负载电阻一、负载电阻二、两个非门；晶体三极管、负载电阻一、负载电阻二三者形成串联接地，在负载电阻一、负载电阻二的连接点连接至比较器的一个输入端，比较器的另一个输入端连接VDD比较电压，比较器的输出端依次串联两个非门，最终形成输出电压。本技术通过分压采样VCC电压，并与VDD比较电压做比较，实现欠压保护功能。本技术结构简单，应用于LED驱动芯片电路中，可确保驱动芯片中工作电压的稳定性。文档编号H02H7/20GK202651774SQ20122034354公开日2013年1月2日 申请日期2012年7月16日 优先权日2012年7月16日专利技术者张新华, 张若煜 申请人:绍兴文理学院本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种LED驱动芯片中的欠压保护电路，其特征在于：包括比较器、晶体三极管、负载电阻一、负载电阻二、两个非门；晶体三极管、负载电阻一、负载电阻二三者形成串联接地，在负载电阻一、负载电阻二的连接点连接至比较器的一个输入端，比较器的另一个输入端连接VDD比较电压，比较器的输出端依次串联两个非门，最终形成输出电压。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张新华，张若煜，
申请(专利权)人：绍兴文理学院，
类型：实用新型
国别省市：
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