绝缘栅场效应管(IGBT)的制备方法技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于绝缘栅场效应管制造
，具体涉及一种低成本绝缘栅场效应管(IGBT)的制备方法。
技术介绍
高压IGBT的制备材料通常选用低掺杂浓度的区熔衬底Si材料(FZ单晶衬底)，常规的方法是先在衬底上用零层版(Zero mask)刻出对位标记，接着的工艺是生长比较薄的氧化层（pad oxide），然后进行终端(ring)注入，这个注入的杂质一般选用Boron；ring注入是会用到光刻版的，这个ring注入的mask是对准前面的零层版；接下来，把pad oxide 刻蚀掉，热生长1-2um左右的场氧（Field oxide），紧接着用有源区光刻版(AA mask)来刻出有源区，同时保留终端的场氧，此时，AA mask是对准的前述zero mask;可见，现有技术多一道zero mask工艺，成本增加，工艺流程增加，整个产品生产周期长。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种低成本绝缘栅场效应管(IGBT)的制备方法。为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：本专利技术实施例提供一种低成本绝缘栅场效应管(IGBT)的制备方法，该方法通过以下步骤实现：步骤一：在FZ衬底上生长N-外延层;步骤二：在N-外延层上生长氧化层;步骤三：通过ring mask 湿法或干法刻蚀掉部分氧化层，在ring注区域保留氧化层，这时，生长的氧化层与保留的氧化层上产生了高度差自然形成第一对位标记;步骤四：热生长热氧化层，在热氧化层上自然形成第二对位标记;步骤五：通过AA mask光刻有源区，所述AA mask对准所述第二对位标记，接下来就是完全常规的工艺...
【技术保护点】
一种低成本绝缘栅场效应管(IGBT)的制备方法，其特征在于，该方法通过以下步骤实现：步骤一：在FZ衬底上生长N‑外延层;步骤二：在N‑外延层上生长氧化层;步骤三：通过ring mask 湿法或干法刻蚀掉部分氧化层，在ring注区域保留氧化层，这时，生长的氧化层与保留的氧化层上产生了高度差自然形成第一对位标记;步骤四：热生长热氧化层，在热氧化层上自然形成第二对位标记;步骤五：通过AA mask光刻有源区，所述AA mask对准所述第二对位标记，接下来就是完全常规的工艺，形成IGBT器件的最终结构。
【技术特征摘要】
1.一种低成本绝缘栅场效应管(IGBT)的制备方法，其特征在于，该方法通过以下步骤实现：步骤一：在FZ衬底上生长N-外延层;步骤二：在N-外延层上生长氧化层;步骤三：通过ring mask 湿法或干法刻蚀掉部分氧化层，在ring注区域保留氧化层，这时，生长的氧化层与保留的氧化层上产生了高度差自然形成第一对位标记;步骤四：热生长热氧化层，在热氧化层上自然形成第二对位标记;步骤五：通过AA mask光刻有源区，所述AA mask对准所述第二对位标...
【专利技术属性】
技术研发人员：周宏伟，岳玲，徐西昌，
申请(专利权)人：西安龙腾新能源科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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