场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管技术

本发明专利技术提供了一种场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管，其中，所述制备方法包括：在对所述第一类离子区域进行驱入处理的过程中，形成第一介质层，以完成所述结型场效应管的制备；在判定所述第一介质层的厚度处于预设厚度范围后，对待制备的分压环进行光刻处理；通过所述光刻处理过程形成的掩膜层形成第二类离子区域，以完成所述分压环的制备，从而完成所述场效应晶体管的制备。通过本发明专利技术的技术方案，在保证场效应晶体管的有源区工作正常的情况下，有效地提高了分压环的工艺稳定性和结构可靠性，进而提高了场效应晶体管的成品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，具体而言，涉及一种场效应晶体管的制备方法和一种场效应晶体管。
技术介绍
在相关技术中，在制作场效应晶体管尤其是VDMOS(垂直双扩散场效应管)时，通常在形成结型场效应管(有源区)后，在有源区外制备分压环。具体地，如图1所示，有源区包括在衬底1上形成的第一类离子区域2，其中，为了防止杂质元素扩散至衬底1，在形成第一类离子区域2的驱入过程中，形成第一介质层3，其厚度远大于自然氧化层的厚度，而在分压环的区域内依次形成第二介质层4和光刻胶掩膜5，并通过上述掩膜在分压环内形成第二类离子区域6，但是，由于刻蚀第二介质层4的过程中，第一介质层3的横向刻蚀严重，因此，会在分压环的注入过程中发生光刻胶掩膜掀胶的现象，继而造成严重的工艺偏差，降低所述场效应晶体管的结构可靠性。因此，如何解决场效应晶体管制备过程中的光刻胶掩膜掀胶的问题成为亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术正是基于上述技术问题至少之一，提出了一种新的场效应晶体管的制备方法和一种新的场效应晶体管。有鉴于此，本专利技术提出一种场效应晶体管的制备方法，包括：在对所述第一类离子区域进行驱入处理的过程中，形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效应晶体管的制备方法，所述场效应晶体管包括结型场效应管和分压环，其中，所述结型场效应管包括第一类离子区域，其特征在于，所述制备方法包括：在对所述第一类离子区域进行驱入处理的过程中，形成第一介质层，以完成所述结型场效应管的制备；在判定所述第一介质层的厚度处于预设厚度范围后，对待制备的分压环进行光刻处理；通过所述光刻处理过程形成的掩膜层形成第二类离子区域，以完成所述分压环的制备，从而完成所述场效应晶体管的制备。

【技术特征摘要】
1.一种场效应晶体管的制备方法，所述场效应晶体管包括结型场效应管和分压环，其中，所述结型场效应管包括第一类离子区域，其特征在于，所述制备方法包括：在对所述第一类离子区域进行驱入处理的过程中，形成第一介质层，以完成所述结型场效应管的制备；在判定所述第一介质层的厚度处于预设厚度范围后，对待制备的分压环进行光刻处理；通过所述光刻处理过程形成的掩膜层形成第二类离子区域，以完成所述分压环的制备，从而完成所述场效应晶体管的制备。2.根据权利要求1所述的场效应晶体管的制备方法，其特征在于，控制不形成第一介质层，包括以下具体步骤：所述驱入处理包括第一驱入阶段和第二驱入阶段，减小所述第一驱入阶段的氧气流量，以及减小所述第二驱入阶段的氧气流量至零，以控制所述第一介质层的形成。3.根据权利要求2所述的场效应晶体管的制备方法，其特征在于，形成第一介质层，包括以下具体步骤：减小所述第一驱入阶段的氢气流量。4.根据权利要求1所述的场效应晶体管的制备方法，其特征在于，对待制备的分压环进行光刻处理，包括以下具体步骤：在待制备的分压环上形成第二介质层；图形化所述第二介质层，以暴露出待形成的所述第二类离子区域。5.根据权利要求4所述的场效应晶体管的制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵圣哲，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11