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本发明提供了一种场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管，其中，所述制备方法包括：在对所述第一类离子区域进行驱入处理的过程中，形成第一介质层，以完成所述结型场效应管的制备；在判定所述第一介质层的厚度处于预设厚度范围后，对待制备的分压环进行光刻处...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。