一种结型场效应管的制作方法技术

本发明专利技术提供了一种结型场效应管的制作方法，所述方法包括：S1.在N沟道或P沟道表面沉积相距第一预设间隔的两个对立的第一侧墙层和第二侧墙层；S2.在所述两个对立的第一侧墙层和第二侧墙层之间，完成栅极区注入；S3在所述栅极区左侧的N沟道或P沟道表面沉积相距第二预设间隔的两个对立的第三侧墙层和第四侧墙层，在栅极区右侧的N沟道或P沟道表面沉积相距第三预设间隔的两个对立的第五侧墙层和第六侧墙层；S4在所述两个对立的第三侧墙层和第四侧墙层之间，完成源区注入；在所述两个对立的第五侧墙层和第六侧墙层之间，完成漏区注入。本发明专利技术能够解决结型场效应管制作成本高和沟道宽度不易精确控制的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体芯片制造工艺
，具体涉及一种结型场效应管的制作方法。
技术介绍
场效应管是通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件。它不仅具有双极型三极管的体积小、重量轻、耗电少、寿命长等优点，而且还具有输入电阻高，热稳定性好，抗辐射能力强、噪声低、便于集成等特点。因而，在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用。根据结构和工作原理的不同，场效应管可以分为两大类：结型场效应管(JunctionField-EffectTransistor，简称JFET)和绝缘栅型场效应管(InsulatedGateField-EffectTransistor，简称IGFET)。对于结型场效应管JFET，现有的制作方法是利用两次光刻、两次离子注入和两次高温驱入，分别形成沟道区和栅极区，再通过一次光刻、一次离子注入、和一次驱入，形成源漏区。目前的结型场效应管的制作方法存在以下缺点：(1)每制作一个结型场效应管，需要用到三版光刻，导致制造成本较高；(2)由于采用光刻，会存在光刻对偏的问题，不容易精确控制P区下方或N区下方的沟道宽度。因此，需要一种新的结型场效应管制作方法，用于解决以上问题。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本专利技术提供一种结型场效应管的制作方法，以解决结型场效应管制作成本高和沟道宽度不易精确控制的问题。第一方面，本专利技术提供了一种结型场效应管栅极区形成方法，所述方法包括：在N沟道或P沟道表面沉积相距第一预设间隔的两个对立的第一侧墙层和第二侧墙层；在所述两个对立的第一侧墙层和第二侧墙层之间，完成栅极区注入。其中，所述在N沟道或P沟道表面沉积相距第一预设间隔的两个对立第一侧墙层和第二侧墙层包括：在N沟道或P沟道表面沉积一层覆盖层，对所述覆盖层进行回刻，形成相距第一预设间隔的两个对立的第一侧墙层和第二侧墙层。其中，所述覆盖层的材料为氮化硅、氧化硅、氧化铝和金属中的一种。第二方面，本专利技术提供了一种结型场效应管源漏区形成方法，所述方法包括：在栅极区左侧的N沟道或P沟道表面沉积相距第二预设间隔的两个对立的第三侧墙层和第四侧墙层，在栅极区右侧的N沟道或P沟道表面沉积相距第三预设间隔的两个对立的第五侧墙层和第六侧墙层；在所述两个对立的第三侧墙层和第四侧墙层之间，完成源区注入；在所述两个对立的第五侧墙层和第六侧墙层之间，完成漏区注入。其中，所述在栅极区左侧的N沟道或P沟道表面沉积相距第二预设间隔的两个对立的第三侧墙层和第四侧墙层，在栅极区右侧的N沟道或P沟道表面沉积相距第三预设间隔的两个对立的第五侧墙层和第六侧墙层包括：在栅极区左侧的N沟道或P沟道表面沉积一层覆盖层，对所述覆盖层进行回刻，形成相距第二预设间隔的两个对立的第三侧墙层和第四侧墙层；在栅极区右侧的N沟道或P沟道表面沉积一层覆盖层，对所述覆盖层进行回刻，形成相距第三预设间隔的两个对立的第五侧墙层和第六侧墙层。其中，所述覆盖层的材料为氮化硅、氧化硅、氧化铝和金属中的一种。第三方面，本专利技术提供了一种结型场效应管的制作方法，所述方法包括：S1.在N沟道或P沟道表面沉积相距第一预设间隔的两个对立的第一侧墙层和第二侧墙层；S2.在所述两个对立的第一侧墙层和第二侧墙层之间，完成栅极区注入；S3在所述栅极区左侧的N沟道或P沟道表面沉积相距第二预设间隔的两个对立的第三侧墙层和第四侧墙层，在栅极区右侧的N沟道或P沟道表面沉积相距第三预设间隔的两个对立的第五侧墙层和第六侧墙层；S4在所述两个对立的第三侧墙层和第四侧墙层之间，完成源区注入；在所述两个对立的第五侧墙层和第六侧墙层之间，完成漏区注入。其中，所述步骤S1包括：在N沟道或P沟道表面沉积一层覆盖层，对所述覆盖层进行回刻，形成相距第一预设间隔的两个对立的第一侧墙层和第二侧墙层。其中，所述步骤S3包括：在栅极区左侧的N沟道或P沟道表面沉积一层覆盖层，对所述覆盖层进行回刻，形成相距第二预设间隔的两个对立的第三侧墙层和第四侧墙层；在栅极区右侧的N沟道或P沟道表面沉积一层覆盖层，对所述覆盖层进行回刻，形成相距第三预设间隔的两个对立的第五侧墙层和第六侧墙层。其中，所述覆盖层的材料为氮化硅、氧化硅、氧化铝和金属中的一种。由上述技术方案可知，本专利技术的结型场效应管的制作方法，对工艺流程进行优化，采用对立侧墙层的工艺，对于沟道宽度进行精确控制；同时，相对于现有方法，仅用了一版光刻，极大的节约了制造成本。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例一提供的结型场效应管栅极区形成方法的流程图；图2是本专利技术实施例二提供的结型场效应管源漏区形成方法的流程图；图3是本专利技术实施例三提供的结型场效应管的制作方法的流程图；图4是本专利技术实施例四提供的N沟道结型场效应管的制作方法的流程图；图5是本专利技术实施例四步骤401的结果示意图；图6是本专利技术实施例四步骤402的结果示意图；图7是本专利技术实施例四步骤403的过程示意图；图8是本专利技术实施例四步骤403的结果示意图；图9是本专利技术实施例四步骤404的过程示意图；图10是本专利技术实施例四步骤404的结果示意图；图11是本专利技术实施例四步骤405的过程示意图；图12是本专利技术实施例四步骤405的结果示意图；图13是本专利技术实施例四步骤406和步骤407的结果示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。图1示出了本专利技术实施例一提供的结型场效应管栅极区形成方法流程图，如图1所示，所述场效应管栅极区形成方法包括：步骤101：在N沟道或P沟道表面沉积相距第一预设间隔的两个对立的第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种结型场效应管栅极区形成方法，其特征在于，所述方法包括：在N沟道或P沟道表面沉积相距第一预设间隔的两个对立的第一侧墙层和第二侧墙层；在所述两个对立的第一侧墙层和第二侧墙层之间，完成栅极区注入。

【技术特征摘要】
1.一种结型场效应管栅极区形成方法，其特征在于，所述方法包
括：
在N沟道或P沟道表面沉积相距第一预设间隔的两个对立的第一
侧墙层和第二侧墙层；
在所述两个对立的第一侧墙层和第二侧墙层之间，完成栅极区注
入。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在N沟道或P
沟道表面沉积相距第一预设间隔的两个对立第一侧墙层和第二侧墙层
包括：
在N沟道或P沟道表面沉积一层覆盖层，对所述覆盖层进行回刻，
形成相距第一预设间隔的两个对立的第一侧墙层和第二侧墙层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述覆盖层的材料
为氮化硅、氧化硅、氧化铝和金属中的一种。
4.一种结型场效应管源漏区形成方法，其特征在于，所述方法包
括：
在栅极区左侧的N沟道或P沟道表面沉积相距第二预设间隔的两
个对立的第三侧墙层和第四侧墙层，在栅极区右侧的N沟道或P沟道
表面沉积相距第三预设间隔的两个对立的第五侧墙层和第六侧墙层；
在所述两个对立的第三侧墙层和第四侧墙层之间，完成源区注入；
在所述两个对立的第五侧墙层和第六侧墙层之间，完成漏区注入。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在栅极区左侧
的N沟道或P沟道表面沉积相距第二预设间隔的两个对立的第三侧墙
层和第四侧墙层，在栅极区右侧的N沟道或P沟道表面沉积相距第三
预设间隔的两个对立的第五侧墙层和第六侧墙层包括：
在栅极区左侧的N沟道或P沟道表面沉积一层覆盖层，对所述覆
盖层进行回刻，形成相距第二预设间隔的两个对立的第三侧墙层和第

\t四侧墙层；
在栅极区右侧的N沟道或P沟道表面沉积一层覆盖层...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵圣哲，马万里，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11