PMOS晶体管的形成方法技术

一种PMOS晶体管的形成方法，对于源漏区的sigma形凹槽内的硅锗籽晶层形成阶段，在锗源气体流量逐渐增大的第一子阶段与流量平稳的第二子阶段之间增加流量逐渐减小的第五子阶段，第五子阶段的锗源气体初始流量与第一子阶段末尾流量相等；和/或对于体材料形成阶段，在气体流量逐渐增大的第三子阶段与流量平稳的第四子阶段之间增加流量逐渐减小的第六子阶段，第六子阶段的锗源气体初始流量与第三子阶段末尾流量相等。能避免第一子阶段与第二子阶段衔接处，和/或第三子阶段与第四子阶段衔接处的流量突变引起所形成的硅锗材料中锗含量突然增大，造成硅锗材料晶格不匹配，sigma形凹槽侧壁出现缺陷造成源漏区载流子进入沟道区引起漏电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种PMOS晶体管的形成方法。
技术介绍
现有半导体器件制作工艺中，由于应力可以改变硅材料的能隙和载流子迁移率，因此通过应力来提高MOS晶体管的性能成为越来越常用的手段。具体地，在晶体管的源/漏区形成sigma形凹槽，通过控制在其内填入压应力或拉应力材料，采用sigma形凹槽的尖端对沟道施加压应力或拉应力，从而提高沟道内载流子(NMOS晶体管中的电子，PMOS晶体管中的空穴)的迁移率。实际工艺中发现，上述制作的PMOS晶体管，经常出现漏电流较大，同一批次制作的多个PMOS晶体管性能不稳定，例如饱和漏电流漂移等问题。针对上述问题，本专利技术提供一种PMOS晶体管的制作方法加以改善。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是如何改善PMOS晶体管的漏电流较大，同一批次制作的多个PMOS晶体管性能不稳定。为解决上述问题，本专利技术提供一种PMOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅极结构，所述栅极结构两本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种PMOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅极结构，所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成有sigma形凹槽；在所述sigma形凹槽内填充硅锗材料以形成源漏区；其特征在于，所述硅锗材料的填充分籽晶层形成阶段与体材料形成阶段；所述籽晶层形成阶段至少包括依次进行的第一子阶段与第二子阶段，所述第一子阶段内，锗源气体的流量逐渐增大，所述第二子阶段内，所述锗源气体的流量平稳；所述体材料形成阶段至少包括依次进行的第三子阶段与第四子阶段，所述第三子阶段内，锗源气体的流量逐渐增大，所述第四子阶段内，所述锗源气体的流量平稳；其中，所述第一子阶段与第二子阶段之间还进行第五子阶段，所述第五...

【技术特征摘要】
1.一种PMOS晶体管的形成方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅极结构，所述栅极结构两侧
的半导体衬底内形成有sigma形凹槽；
在所述sigma形凹槽内填充硅锗材料以形成源漏区；
其特征在于，所述硅锗材料的填充分籽晶层形成阶段与体材料形成阶段；
所述籽晶层形成阶段至少包括依次进行的第一子阶段与第二子阶段，所述第
一子阶段内，锗源气体的流量逐渐增大，所述第二子阶段内，所述锗源气体
的流量平稳；所述体材料形成阶段至少包括依次进行的第三子阶段与第四子
阶段，所述第三子阶段内，锗源气体的流量逐渐增大，所述第四子阶段内，
所述锗源气体的流量平稳；
其中，所述第一子阶段与第二子阶段之间还进行第五子阶段，所述第五
子阶段的锗源气体初始流量与所述第一子阶段的末尾锗源气体流量相等，所
述第三子阶段与第四子阶段之间还进行第六子阶段，所述第六子阶段的锗源
气体初始流量与所述第三子阶段的末尾锗源气体流量相等，所述第五子阶段
与第六子阶段中的至少一个，所述锗源气体的流量逐渐减小。
2.根据权利要求1所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第五
子阶段与第六子阶段中的至少一个，所述锗源气体的流量呈直线下降。
3.根据权利要求1所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第五
子阶段与第六子阶段中，所述锗源气体的流量都逐渐减小。
4.根据权利要求1所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第五
子阶段与第六子阶段中，其中一个子阶段中的锗源气体的流量逐渐减小，
另一个子阶段中的锗源气体的流量平稳。
5.根据权利要求1所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述体材
料形成阶段还包括第七子阶段，所述第七子阶段的锗源气体初始流量与所
述第四子阶段的末尾锗源气体流量相等，所述第七子阶段内锗源气体的流
量逐渐减小。
6.根据权利要求1所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二

\t子阶段的锗源气体初始流量与所述第一子阶段的末尾锗源气体流量相等，
所述第四子阶段的锗源气体初始流量与所述第三子阶段的末尾锗源...

【专利技术属性】
技术研发人员：涂火金，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31