基于65nm工艺的环栅抗辐照MOS场效应管制造技术

本发明专利技术公开了一种基于65nm工艺的环栅抗辐照MOS场效应管，主要解决传统65nm MOS场效应管在总剂量辐照环境下，阈值电压漂移、亚阈值摆幅退化和关态漏电流退化的问题。其包括P型衬底(1)和位于衬底上的外延层(2)，外延层中部内设有漏区(3)，漏区外围紧邻的外延层上方设有栅极(4)，栅极内外两侧边界下方的外延层内设有轻掺杂源漏区(5)，该轻掺杂源漏区之间的区域形成沟道；栅极外围紧邻的外延层内设有源区(6)，源区外围紧邻的外延层内设有隔离槽(7)，形成依次包围在有源区外部的栅环、源环和隔离槽环环套结构。本发明专利技术提高了器件抗总剂量辐照能力，可用于大规模集成电路的制备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体器件
，特别涉及一种抗总剂量辐照的65nmM0S场效应 晶体管，可用于大规模集成电路的制备。
技术介绍
自从1964年首次发现金属氧化物半导体场效应晶体管M0SFET的电离辐射效应以 来，对于空间应用的电子系统器件和电路来说，电离辐射的总剂量效应都是导致功能衰退 的最重要因素之一。总剂量效应是指，能量大于半导体禁带宽度的致电离辐射粒子照射半 导体时，半导体内部部分束缚态电子吸收辐射粒子能量，被激发到导带，产生电子空穴对的 效应。研宄表明，总剂量效应主要对器件的介质及界面产生重要影响。总剂量效应对于体 硅结构器件的影响可以归结为以下几个方面：阈值电压、亚阈值摆幅以及关态泄漏电流，这 些参数的退化会严重影响器件性能及可靠性。随着集成电路技术按照摩尔定律飞速的发展，商用集成电路器件已经进入了 22nm等级，而航空航天等国防军用系统器件和电路也在朝着更小尺寸不断迈进。对于商用集 成电路系统中来说，采用SOI绝缘体上硅结构代替传统的体硅结构可以有效地消除闩锁效 应，提高器件性能。对于航天航空应用来说，SOI结构在一定程度上减小了单粒子效应的影 响，但是由本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于65nm工艺的环栅抗辐照MOS场效应管，包括P型衬底(1)，和位于衬底上的外延层(2)，其特征在于：外延层(2)中部内设有漏极有源区(3)，漏极有源区(3)外围紧邻的外延层上方设有环形栅极(4)，栅极(4)内外两侧边界下方的外延层内设有轻掺杂源漏区(5)，该轻掺杂源漏区之间的区域形成沟道；栅极(4)外围紧邻的外延层内设有环形源极有源区(6)，源极有源区(6)外围紧邻的外延层内设有环形隔离槽(7)，形成依次包围在有源区(3)外部的栅环、源环和隔离槽环环套结构，以消除沟道与隔离槽界面处的寄生沟道，实现抗辐照加固。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘红侠，陈树鹏，张丹，陈煜海，刘永杰，王倩琼，赵东东，汪星，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61