【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路设计制造领域，特别是指一种改善IGBT背面应力的方法。
技术介绍
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。普通的IGBT结构如图1所示，衬底1正面，即图1上半部为IGBT正面的栅极2，栅氧化层3，P阱4，正面金属连线7等。背面，即图1下半部为IGBT背面结构，包括缓冲层9，背面注入层10，以及背面金属层11。背面金属层是Al-Ti-Ni-Ag的复合层。对于IGBT工艺来讲，厚度越薄，相应的导通压降和动态损耗都会降低。但是太薄的硅片在研磨处理中由于正面图形的特殊性会导致应力问题，严重时导致裂片。对于高可靠性的IGBT，需要在正面钝化层上覆盖聚酰亚胺(Polyimide)，如图2所示。由于聚酰亚胺厚度较大，在背面研磨中受力不均导致很大的应力，严重时背面可以看到明显的正面图形图案。硅片背面的应力主要集中在划片道区域，因为此处台阶最大，后续工艺中，硅片
容易在划片道区裂开。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种改善IGBT应力的方法，解决硅片容易在划片区容易裂开的问题。为解决上述问题，本专利技术所述的改善IGBT应力的方法，对于硅片正面钝化层上覆盖的聚酰亚胺，在对划片槽进行光刻定义时，将划片槽在聚...
【技术保护点】
一种改善IGBT背面应力的方法，其特征在于：对于硅片正面钝化层上覆盖的聚酰亚胺，在对划片槽进行光刻定义时，将划片槽在聚酰亚胺上的曝光由亮改为暗，曝光后，划片槽区的聚酰亚胺保留。
【技术特征摘要】
1.一种改善IGBT背面应力的方法，其特征在于：对于硅片正面钝化层上覆盖的聚酰亚胺，在对划片槽进行光刻定义时，将划片槽在聚酰亚胺上的曝光由亮改为暗，曝光后，划片槽区的聚酰亚胺保留。2.如权利要求1所述的改善IGBT背面应力的方法，其特征在于：所述划片槽区保留的聚酰亚胺，能够分散硅片应力，改善硅片的应力分布。...
【专利技术属性】
技术研发人员：马彪，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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