绝缘栅双极型晶体管制造技术

本公开提供了一种绝缘栅双极型晶体管，包括：发射极；半导体主体，包括：第一基区，具有第一导电类型，源区，具有不同于第一导电类型的第二导电类型，与发射极电接触，并与第一基区形成第一pn-结；至少一个沟槽，其中至少一个沟槽被填充有栅电极，至少一个沟槽具有：第一沟槽部，具有第一宽度；第二沟槽部，具有第二宽度；第二宽度不同于第一宽度；凹槽，形成在半导体主体的表面上且至少部分形成在源区处，发射极的一部分填充凹槽，使得发射极与源区和第一基区接触。通过利用发射极的一部分来填充第一基区中形成的凹槽，根据本公开的绝缘栅双极型晶体管中的寄生晶闸管结构被破坏，从而有效地避免了闩锁效应的发生。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种绝缘栅双极型晶体管（20，30），其特征在于，包括：发射极（29，39）；以及半导体主体，其中所述半导体主体包括：第一基区（24，34），具有第一导电类型，源区（25），具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型，与所述发射极（29，39）电接触，并与所述第一基区（24，34）形成第一pn?结；至少一个沟槽，其中所述至少一个沟槽被填充有栅电极（26），其中，所述至少一个沟槽具有：第一沟槽部（261），具有第一宽度；以及第二沟槽部（262），具有第二宽度；所述第二宽度不同于所述第一宽度；以及凹槽（G1，G2），形成在所述半导体主体的表面上并且至少部分形成在所述源区（25）处，其中，所述发射极（29，39）的一部分填充所述凹槽（G1，G2），使得所述发射极与所述源区（25）和所述第一基区（24，34）接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：弗兰克·普菲尔什，汉斯约阿希姆·舒尔茨，霍尔格·豪斯肯，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：