一种逆导型IGBT器件制造技术

一种逆导型IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明专利技术利用变组分的混合晶体来制作IGBT的集电区，形成禁带宽度渐变的能带结构。在集电区与漂移区交界处具有较小的禁带宽度，降低了集电区与漂移区的内建电势，缓解snap-back现象；同时由于集电区材料组分渐变，形成渐变的禁带宽度，在集电区内产生了一个少子的减速场，从而减小了漂移区向集电区的少子注入，提高了集电区向漂移区注入效率，可获得更强的电导调制效应，有利于降低IGBT的正向导通压降。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种逆导型IGBT器件，包括发射极结构、集电极结构、栅极结构和漂移区结构；所述发射极结构包括金属发射极（1）、重掺杂第一导电类型半导体欧姆接触区（2）、重掺杂第二导电类型半导体发射区（3）和第一导电类型半导体体区（4），其中重掺杂第一导电类型半导体欧姆接触区（2）和重掺杂第二导电类型半导体发射区（3）相互独立地位于第一导电类型半导体体区（4）中，且重掺杂第一导电类型半导体欧姆接触区（2）和重掺杂第二导电类型半导体发射区（3）的表面均和金属发射极（1）相接触；所述集电极结构包括重掺杂第一导电类型半导体集电区（11）、重掺杂第二导电类型半导体集电极短路区（9）和金属集电极（12），其中重掺杂第二导电类型半导体集电极短路区（9）和重掺杂第一导电类型半导体集电区（11）彼此间隔分布，且二者的下表面均与金属集电极（12）相接触；所述漂移区结构包括轻掺杂第二导电类型半导体漂移区（7）；所述栅极结构包括多晶硅栅电极（5）和栅氧化层（6）；所述漂移区结构位于所述发射极结构和所述集电极结构之间，其中：漂移区结构的轻掺杂第二导电类型半导体漂移区（7）背面与集电极结构的重掺杂第二导电类型半导体集电极短路区（9）和重掺杂第一导电类型半导体集电区（11）相接触，漂移区结构的轻掺杂第二导电类型半导体漂移区（7）正面与发射极结构的第一导电类型半导体体区（4）相接触，且集电极结构的重掺杂第二导电类型半导体集电极短路区（9）位于发射极结构的第一导电类型半导体体区（4）的正下方；所述栅极结构的多晶硅栅电极（5）与金属发射极（1）、重掺杂第二导电类型半导体发射区（3）、第一导电类型半导体体区（4）和轻掺杂第二导电类型半导体漂移区（7）四者之间隔着栅氧化层（6）；所述重掺杂第一导电类型半导体集电区（11）的材料采用组分渐变的混合晶体材料，形成渐变的禁带宽度，且禁带宽度的渐变方式为：重掺杂第一导电类型半导体集电区（11）中从靠近轻掺杂第二导电类型半导体漂移区（7）一侧指向靠近金属集电极（12）一侧的方向上，混合晶体材料的禁带宽度按逐渐增大。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：任敏，宋询奕，李果，顾鸿鸣，张鹏，吴明进，曾智，李泽宏，张金平，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：