一种RC-IGBT器件及其制作方法技术

一种RC-IGBT器件及其制作方法，属于功率半导体器件技术领域。本发明专利技术在传统RC-IGBT器件结构的基础上，在N+集电极短路区11与N型电场阻止层8之间引入P型阱区12，并采用隔离介质13使得N型电场阻止层8与P型阱区12二者与金属集电极10之间相互绝缘。本发明专利技术在具备传统RC-IGBT器件特性的基础上，在正向导通时可以完全消除传统RC-IGBT固有的Snapback现象，并具有与传统RC-IGBT相似的损耗特性。本发明专利技术适用于从小功率到大功率的半导体功率器件和功率集成电路领域。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种RC?IGBT器件，其元胞结构包括发射极结构、集电极结构、栅极结构和漂移区结构；所述发射极结构包括金属发射极（1）、P+欧姆接触区（2）、N+发射区（3）和P型基区（4），其中P+欧姆接触区（2）和N+发射区（3）相互独立地位于（P）型基区4中，且P+欧姆接触区（2）和N+发射区（3）的表面均和金属发射极（1）相接触；所述集电极结构包括P+集电区（9）、N+集电极短路区（11）和金属集电极（10），其中N+集电极短路区（11）和P+集电区（9）彼此间隔分布，且二者的下表面均与金属集电极（10）相接触；所述漂移区结构包括N?漂移区（7），且N?漂移区（7）底部具有N型电场阻止层（8）；所述栅极结构包括多晶硅栅电极（6）和栅氧化层（5）；所述漂移区结构位于所述发射极结构和所述集电极结构之间，其中：漂移区结构的N型电场阻止层（8）背面与集电极结构的P+集电区（9）相接触，漂移区结构的N?漂移区（7）正面与发射极结构的P型基区（4）相接触，且N+集电极短路区（11）位于发射极结构的P型基区（4）的正下方；所述栅极结构的多晶硅栅电极（6）与N+发射区（3）、P型基区（4）和N?漂移区（7）三者之间隔着栅氧化层5；其特征在于，在N+集电极短路区（11）与N型电场阻止层（8）之间还具有一个P型阱区（12），且所述P型阱区（12）和N型电场阻止层（8）与金属集电极（10）之间具有隔离介质（13）。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张金平，杨文韬，单亚东，顾鸿鸣，刘竞秀，李泽宏，任敏，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：