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一种RC-IGBT器件及其制作方法，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统RC-IGBT器件结构的基础上，在N+集电极短路区11与N型电场阻止层8之间引入P型阱区12，并采用隔离介质13使得N型电场阻止层8与P型阱区12二者与金属集电极1...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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