The invention provides a QLED device and a preparation method thereof. The preparation method of QLED device, which comprises the following steps: providing a substrate, a bottom electrode formed on the substrate; the bottom electrode deposited on electron transport material, the electron transport materials are processed with RTP, obtained the electron transport layer; in the electron transport layer deposited on the interfacial modification of materials forming interface modification layer, and the interfacial modification of materials with permanent dipole moment material; light emitting layer are deposited on the interface modification layer of quantum dots and the top electrode.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于显示
，尤其涉及一种QLED器件及其制备方法。
技术介绍
量子点具有发光峰窄、量子产额高等优点，加上可利用印刷工艺制备，所以基于量子点的发光二极管(即量子点发光二极管：QLED)近来受到人们的普遍关注，其器件性能指标也发展迅速。为了提高电子的注入效率，通常在QLED器件的阴极和量子点发光层之间设置电子传输层。现有的电子传输材料，均能在一定程度上提高电子的注入效率，从而提高电子迁移率。特别是纳米氧化锌，作为QLED器件中普遍采用的电子传输材料，其导带能级有利于电子从阴极到量子点的注入，而其较深的价带能级又可起到有效阻挡空穴的作用。然而，现有的电子传输材料如纳米氧化锌的光电特性相对不足，因此，如何进一步提高电子传输材料如纳米氧化锌的光电特性、从而提高QLED器件的发光效率是目前研究的一个重点。目前，溶液加工制备电子传输层时，电子传输材料如纳米氧化锌的制备一般采用低温的溶胶-凝胶方法，由此得到的纳米材料如纳米氧化锌，其结晶度较低，存在大量的结构缺陷如空位、位错等，这些结构缺陷成为激子的无辐射复合中心，从而降低器件的传输性和透光性，影响QLED的发光效率。另外，现有的电子传输材料如纳米氧化锌的导带能级还不够低，所以其注入效率特别是在蓝光器件中的注入效率不是非常有效。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种QLED器件的制备方法，旨在解决现有低温溶胶-凝胶方法的制备的电子...
【技术保护点】
一种QLED器件的制备方法，包括以下步骤：提供一衬底，在所述衬底上形成底电极；在所述底电极上沉积电子传输材料，对所述电子传输材料进行RTP处理，得到电子传输层；在所述电子传输层上沉积界面修饰材料形成界面修饰层，且所述界面修饰材料为具有永久偶极矩的材料；在所述界面修饰层上依次沉积量子点发光层和顶电极。
【技术特征摘要】
1.一种QLED器件的制备方法，包括以下步骤：
提供一衬底，在所述衬底上形成底电极；
在所述底电极上沉积电子传输材料，对所述电子传输材料进行RTP处理，
得到电子传输层；
在所述电子传输层上沉积界面修饰材料形成界面修饰层，且所述界面修饰
材料为具有永久偶极矩的材料；
在所述界面修饰层上依次沉积量子点发光层和顶电极。
2.如权利要求1所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述RTP
处理的方法为：在5-10s内将温度升至退火温度，然后进行保温处理，且保温
时间≤3min。
3.如权利要求2所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述保温处
理的时间为20-30s。
4.如权利要求1所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述电子传
输材料为金属氧化物、掺杂金属氧化物、2-6族半导体材料、3-5族半导体材料、
1-3-6族半导体材料中的一种。
5.如权利要求4所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述金属氧
化物为氧化锌或氧化钛；和/或
所述掺杂金属氧化物中的...
【专利技术属性】
技术研发人员：钱磊，杨一行，曹蔚然，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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