一种并联结构的微波相变开关制造技术

一种并联结构的相变开关，属于微波开关器件技术领域。包括基片、加热层、介质隔离层、相变层和电极层；其中，加热层位于基片之上，为哑铃形结构；介质隔离层位于加热层之上，介质隔离层为矩形、且不完全覆盖加热层；相变层位于介质隔离层之上，相变层包括第一相变层和第二相变层；电极层位于相变层之上，电极层包括依次设置的第一接地电极、加热电极、信号电极和第二接地电极，第一接地电极和第二接地电极为两个开口相对的C型结构，信号电极为两个开口相对的U型结构，加热电极位于接地电极的开口内。本发明专利技术的相变开关，采用并联结构，有效减小了相变开关的开态电阻，进而减小相变开关开态的插入损耗，提高了开关的射频性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微波开关器件，具体涉及一种并联结构的微波相变开关。

技术介绍

1、相变开关是一种新型的电子器件，利用硫系化合物材料相变的特性，这些材料的原子或分子的排列方式会随着温度的变化而发生改变，从而导致材料的电阻状态也发生巨大变化，实现电路中高效的信号关断控制。在相变开关中，当施加电压或电流时，相变材料会从一个电阻状态转变到另一个电阻状态。这种转变可以是从高电阻状态到低电阻状态，也可以是相反的。这个转变可以在纳秒级别完成，因此相变开关能够迅速响应并控制电流的流动。相比传统的半导体器件，相变开关具有高电阻比、速度快、尺寸小、低寄生电容、低功耗等优点，在新一代高速可重构射频模块中有广泛的应用潜力。

2、目前常用的相变开关是基于四端口间接加热型相变开关的四端口型开关器件。纵向两端口作为直流偏置对相变薄膜施加电压(电流)脉冲触发薄膜相变，进而控制材料的电阻状态转换。当施加一个窄而高的直流电压脉冲时，相变层局部温度上升，使相变薄膜局部非晶化，材料表现为高阻特性；当施加一个宽而矮的直流电压脉冲时，相变层局部温度上升到相变薄膜的结晶温度点但低于相变转化温本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种并联结构的微波相变开关，其特征在于，包括基片、加热层、介质隔离层、相变层和电极层；其中，加热层位于基片之上，加热层为哑铃形结构；介质隔离层位于加热层之上，介质隔离层为矩形、且不完全覆盖加热层；相变层位于介质隔离层之上，相变层包括第一相变层和第二相变层；电极层位于相变层之上，电极层包括依次设置的第一接地电极、加热电极、信号电极和第二接地电极，第一接地电极和第二接地电极为两个开口相对的C型结构，信号电极为两个开口相对的U型结构，加热电极为两个矩形结构，信号电极位于第一接地电极和第二接地电极之间，第一接地电极与第二接地电极的开口方向与信号电极的开口方向垂直，加热电极位于接地电极的开口内...

【技术特征摘要】

1.一种并联结构的微波相变开关，其特征在于，包括基片、加热层、介质隔离层、相变层和电极层；其中，加热层位于基片之上，加热层为哑铃形结构；介质隔离层位于加热层之上，介质隔离层为矩形、且不完全覆盖加热层；相变层位于介质隔离层之上，相变层包括第一相变层和第二相变层；电极层位于相变层之上，电极层包括依次设置的第一接地电极、加热电极、信号电极和第二接地电极，第一接地电极和第二接地电极为两个开口相对的c型结构，信号电极为两个开口相对的u型结构，加热电极为两个矩形结构，信号电极位于第一接地电极和第二接地电极之间，第一接地电极与第二接地电极的开口方向与信号电极的开口方向垂直，加热电极位于接地电极的开口内，两个加热电极分别与加热层的两端连接，u型结构的开口一端连接第一相变层、另一端连接第二相变层。

2.根据权利要求1所述的并联结构的微波相变开关，其特征在于，信...

【专利技术属性】
技术研发人员：高莉彬，曲胜，丁瑶，孙延龙，陈宏伟，张继华，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：