【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种发光器件及其制备方法及显示装置。
技术介绍
1、qled是基于量子点技术的电致发光器件，具有自发光、无需背光模组、视角宽、对比度高、全固化、适用于挠曲性面板、温度特性好、响应速度快和节能环保等一系列优异特性。然而，qled器件存在各种效率(电流、功率或外量子效率)随时间或工况而衰减或提升的现象，即“负老化效应”和“正老化效应”。从量产角度考虑，这两种器件性能随时间或工况而变化的老化现象严重影响产品的稳定性，难以满足可靠性要求(reliability analysis，ra)。
技术实现思路
1、鉴于此，本申请提供一种发光器件及其制备方法及显示装置，本申请提供的发光器件在通电情况下的电老化稳定性较佳。
2、本申请实施例是这样实现的：
3、第一方面，本申请提供一种发光器件，包括层叠的阳极、发光层、电子功能层和复合阴极，其中：
4、所述电子功能层的材料包括金属氧化物，所述复合阴极中包含金属颗粒和修饰材料，所述修饰材料包括至少一种具有如下化学式的修饰化合物：r-s-x；r为含第一不饱和键的基团，x为氢或者一价有机基团x1，s原子和所述第一不饱和键之间间隔的原子数大于1，且所述s原子与所述金属颗粒配位连接。
5、在一些实施例中，所述修饰材料由至少一种所述修饰化合物组成。
6、在一些实施例中，所述r选自取代或未取代的不饱和烃基；
7、r的主链的碳原子数为3-60；和/或，
8、
9、在一些实施例中，r选自含取代基的不饱和烃基，所述取代基选自芳基、羟基、巯基、硫基、酯基、醚基、羰基、硫醚基、胺基、酰胺基、磷基、氧磷基、磺酰基、亚砜基中的至少一种。
10、在一些实施例中，x1为含有第二不饱和键的基团。
11、在一些实施例中，x1选自取代或未取代的不饱和烃基；
12、x1的主链的碳原子数为3-60；和/或，
13、所述s原子和所述第二不饱和键之间间隔的原子数大于等于x1的主链的碳原子数的1/2。
14、在一些实施例中，x1选自含取代基的不饱和烃基，所述取代基选自芳基、羟基、巯基、硫基、酯基、醚基、羰基、硫醚基、胺基、酰胺基、磷基、氧磷基、磺酰基、亚砜基中的至少一种。
15、在一些实施例中，所述修饰化合物的化学式为r-sh，所述修饰化合物包括烯丙硫醇、2-吡啶丙硫醇、4-氰基-1-丁硫醇、2-(1h-苯并咪唑-2-基)乙硫醇、3-(1,3-苯并噻唑-3(2h)-基)-1-丙硫醇、吡嗪基乙硫醇、丙-2-炔-1-硫醇、3-甲基-2-丁烯-1-硫醇、3,7-二甲基辛-1,6-二烯-3-硫醇、2-苯乙硫醇、2-(二烯丙基氨基)乙硫醇、2-(二(丙-2-炔基)氨基)乙硫醇、2-(7h-嘌呤-8-基)乙硫醇、烯丙基l-半胱氨酸酯中的至少一种。
16、在一些实施例中，所述修饰化合物的化学式为r-s-x1，所述修饰化合物包括n,n'-双(丙烯酰)胱胺、s-巴豆酰-n-乙酰基半胱胺、s-acr基基-n-乙酰基半胱胺、s-2-丙烯基-d-半胱氨酸、n-乙酰基-l-法呢基半胱氨酸、烯丙基硫基-乙酸、s-苄基-d-半胱氨醇、乙硫基乙基甲基丙烯酸酯、3-甲基丁-2-烯基硫基苯、4,5-二氢-2-((3-甲基-2-丁烯-1-基)硫基)噻唑、1-甲硫基-3-丁烯-1-炔、二硫化丙基丙烯、乙烯基[2-(乙硫基)乙基]醚、二烯丙基二硫醚、甲基烯丙基二硫醚、烯丙基甲基硫醚中的至少一种。
17、在一些实施例中，所述复合阴极的厚度为10-2000nm。
18、在一些实施例中，所述金属颗粒包括ag、al、mg、au、cu、mo、pt、ca及ba中的一种、多种的混合物或者多种的合金；和/或，
19、所述复合阴极中，所述修饰材料的重量百分含量为0.01～50wt％。
20、在一些实施例中，所述发光层的材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种，所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一种，所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste中的至少一种，所述iii-v族化合物选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas及inalpsb中的至少一种，所述i-iii-vi族化合物选自cuins2、cuinse2及agins2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自cds、cdte、cdsete、cdznse、cdzns、cdses、znse、znses和zns中的至少一种；和/或，
21、所述电子功能层的材料包括金属氧化物和掺杂金属氧化物中的至少一种，所述金属氧化物包括zno、tio2、sno2、al2o3中的至少一种，所述掺杂金属氧化物中的金属氧化物选自zno、tio2、sno2中的至少一种，掺杂元素选自mg、ca、zr、w、li、ti、y、al中的至少一种；和/或，
22、所述阳极选自金属电极、碳硅材料电极、金属氧化物电极或复合阴极，所述金属电极的材料选自ag、al、mg、au、cu、mo、pt、ca及ba中的至少一种，所述碳硅材料电极的材料选自硅、石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的至少一种，所述金属氧化物电极的材料选自铟掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锑掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌及铝掺杂本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种发光器件，其特征在于，包括层叠的阳极、发光层、电子功能层和复合阴极，其中：
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述修饰材料由至少一种所述修饰化合物组成。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述R选自取代或未取代的不饱和烃基；
4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，R选自含取代基的不饱和烃基，所述取代基选自芳基、羟基、巯基、硫基、酯基、醚基、羰基、硫醚基、胺基、酰胺基、磷基、氧磷基、磺酰基、亚砜基中的至少一种。
5.根据权利要求1至4任一项所述的发光器件，其特征在于，X1为含有第二不饱和键的基团。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，X1选自取代或未取代的不饱和烃基；
7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，X1选自含取代基的不饱和烃基，所述取代基选自芳基、羟基、巯基、硫基、酯基、醚基、羰基、硫醚基、胺基、酰胺基、磷基、氧磷基、磺酰基、亚砜基中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述修饰化合物的化学式为R-SH，所述修饰
9.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述修饰化合物的化学式为R-S-X1，所述修饰化合物包括N,N'-双(丙烯酰)胱胺、S-巴豆酰-N-乙酰基半胱胺、S-Acr基基-N-乙酰基半胱胺、S-2-丙烯基-D-半胱氨酸、N-乙酰基-L-法呢基半胱氨酸、烯丙基硫基-乙酸、S-苄基-D-半胱氨醇、乙硫基乙基甲基丙烯酸酯、3-甲基丁-2-烯基硫基苯、4,5-二氢-2-((3-甲基-2-丁烯-1-基)硫基)噻唑、1-甲硫基-3-丁烯-1-炔、二硫化丙基丙烯、乙烯基[2-(乙硫基)乙基]醚、二烯丙基二硫醚、甲基烯丙基二硫醚、烯丙基甲基硫醚中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述复合阴极的厚度为10-2000nm。
11.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述金属颗粒包括Ag、Al、Mg、Au、Cu、Mo、Pt、Ca及Ba中的一种、多种的混合物或者多种的合金；和/或，
12.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光层的材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自II-VI族化合物、IV-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe及HgZnSTe中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs及InAlPSb中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材...
【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括层叠的阳极、发光层、电子功能层和复合阴极，其中：
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述修饰材料由至少一种所述修饰化合物组成。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述r选自取代或未取代的不饱和烃基；
4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，r选自含取代基的不饱和烃基，所述取代基选自芳基、羟基、巯基、硫基、酯基、醚基、羰基、硫醚基、胺基、酰胺基、磷基、氧磷基、磺酰基、亚砜基中的至少一种。
5.根据权利要求1至4任一项所述的发光器件，其特征在于，x1为含有第二不饱和键的基团。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，x1选自取代或未取代的不饱和烃基；
7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，x1选自含取代基的不饱和烃基，所述取代基选自芳基、羟基、巯基、硫基、酯基、醚基、羰基、硫醚基、胺基、酰胺基、磷基、氧磷基、磺酰基、亚砜基中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述修饰化合物的化学式为r-sh，所述修饰化合物包括烯丙硫醇、2-吡啶丙硫醇、4-氰基-1-丁硫醇、2-(1h-苯并咪唑-2-基)乙硫醇、3-(1,3-苯并噻唑-3(2h)-基)-1-丙硫醇、吡嗪基乙硫醇、丙-2-炔-1-硫醇、3-甲基-2-丁烯-1-硫醇、3,7-二甲基辛-1,6-二烯-3-硫醇、2-苯乙硫醇、2-(二烯丙基氨基)乙硫醇、2-(二(丙-2-炔基)氨基)乙硫醇、2-(7h-嘌呤-8-基)乙硫醇、烯丙基l-半胱氨酸酯中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述修饰化合物的化学式为r-s-x1，所述修饰化合物包括n,n'-双(丙烯酰)胱胺、s-巴豆酰-n-乙酰基半胱胺、s-acr基基-n-乙酰基半胱胺、s-2-丙烯基-d-半胱氨酸、n-乙酰基-l-法呢基半胱氨酸、烯丙基硫基-乙酸、s-苄基-d-半胱氨醇、乙硫基乙基甲基丙烯酸酯、3-甲基丁-2-烯基硫基苯、4,5-二氢-2-((3-甲基-2-丁烯-1-基)硫基)噻唑、1-甲硫基-3-丁烯-1-炔、二硫化丙基丙烯、乙烯基[2-(乙硫基)乙基]醚、二烯丙基二硫醚、甲基烯丙基二硫醚、烯丙基甲基硫醚中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述复合阴极的厚度为10-2000nm。
11.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述金属颗粒包括ag、al、mg、au、cu、mo、pt、ca及ba中的一种、多种的混合物或者多种的合金；和/或，
12.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光层的材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种，所述ii-vi族化合物选自...
【专利技术属性】
技术研发人员：王劲，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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