一种半导体结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括衬底，衬底表面具有多个第一凹槽；第一温度补偿层，位于第一凹槽内，且覆盖第一凹槽的底部和侧部；压电层，压电层设于衬底设置第一凹槽的一侧上；以及位于压电层上的叉指换能器。本发明专利技术公开的半导体结构解决了半导体结构热适配和应力补偿问题的同时，有效抑制了半导体结构因温度变化发生的频率漂移现象，进而提高了半导体结构的品质因数以及在不同温度下的工作稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法。

技术介绍

1、目前，saw(surface acoustic wave，声表面波)传感器在当今复杂程度越来越高的社会通讯系统中得到了广泛的应用，尤其是现在主流的5g通信时代，高频低成本的saw器件大量应用于各种手持终端设备中。然而伴随着saw传感应用的设备越来越多样化，应用的环境也开始复杂恶劣化，复杂温度的环境应用对器件的电性能要求越来越高，具备温度补偿效果的saw器件开始受到广泛的关注和研究。

2、传统作法中对于saw传感器的温度补偿作法一般都是在压电层上表面沉积sio2或sin等温度补偿层材料。这种做法有一定的效果，但是由于温度补偿层无法沉积过厚，沉积过厚会因为应力过大而带来晶圆片裂片和碎片等风险问题，且过厚的温度补偿层严重影响saw传感器的灵敏度；反之如果沉积的温度补偿层厚度较薄，其能发挥的温补作用有限。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种半导体结构，以解决saw器件热失配的问题。

2、根据本专利技术的一个方本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，沿着所述衬底(1)指向所述压电层(2)的方向上，所述第二凹槽(21)的开口宽度逐渐减小。

4.根据权利要求1中任意一项所述的半导体结构，其特征在于，沿着所述衬底(1)指向所述压电层(2)的方向上，所述第一凹槽(11)的开口宽度不变或逐渐变大。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

7.根据权利要求1至权利要求6中任意一项...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，沿着所述衬底(1)指向所述压电层(2)的方向上，所述第二凹槽(21)的开口宽度逐渐减小。

4.根据权利要求1中任意一项所述的半导体结构，其特征在于，沿着所述衬底(1)指向所述压电层(2)的方向上，所述第一凹槽(11)的开口宽度不变或逐渐变大。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

7.根据权利要求1至权利要求6中任意一项所述的半导体结构，其特征在于，还包括第二温度补偿层(5)，所述第二温度补偿层(5)覆盖所述叉指换能器(4)以及所述压电层(2)远离所述衬底(1)一侧的表面。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第二温度补偿层(5)包括

9.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

10.根据权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：