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钙钛矿薄膜及其制备方法、钙钛矿光电器件、光学器件技术

技术编号:41283525 阅读:32 留言:0更新日期:2024-05-11 09:33
本申请属于钙钛矿器件领域,具体涉及钙钛矿薄膜及其制备方法、钙钛矿光电器件、光学器件。钙钛矿薄膜包括添加剂,添加剂包括含SP<supgt;2</supgt;杂化O原子官能团的聚合物、含SP<supgt;3</supgt;杂化N原子官能团的聚合物和含SP<supgt;3</supgt;杂化S原子官能团的聚合物中的至少一种。由此,通过向钙钛矿薄膜引入添加剂,可以有效钝化钙钛矿薄膜内的缺陷,提高钙钛矿薄膜的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于钙钛矿器件领域,具体涉及钙钛矿薄膜及其制备方法、钙钛矿光电器件、光学器件


技术介绍

1、钙钛矿光电器件具有高光电响应性能、可湿法制备、成本较低等优良特性,且可被制备成柔性器件或可穿戴器件。因此,钙钛矿光电器件已成为具有广阔应用前景的新型光电器件。然而,在实际应用过程中,由于钙钛矿光电器件的钙钛矿薄膜可能会受到水汽、氧气、光照、热、本征内建电场等因素的影响,继而可能会发生各种化学反应和离子迁移情况,甚至进行分解,从而导致钙钛矿光电器件的稳定性较差,影响钙钛矿光电器件的商业化使用。

2、因此,亟需解决钙钛矿薄膜的稳定性较差的问题,以推进钙钛矿光电器件的实用化进程。


技术实现思路

1、本申请旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。

2、在本申请的一个方面,本申请提出了一种钙钛矿薄膜,所述钙钛矿薄膜包括添加剂,所述添加剂包括含sp2杂化o原子官能团的聚合物、含sp3杂化n原子官能团的聚合物和含sp3杂化s原子官能团的聚合物中的至少一种。由此,通过向钙钛矿薄膜引入添加剂,可本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种钙钛矿薄膜,其特征在于,包括添加剂,所述添加剂包括含SP2杂化O原子官能团的聚合物、含SP3杂化N原子官能团的聚合物和含SP3杂化S原子官能团的聚合物中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜,其特征在于,所述含SP2杂化O原子官能团的聚合物包括聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯并二呋喃二酮中的至少一种;和/或,

3.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜,其特征在于,所述钙钛矿薄膜中钙钛矿材料与所述添加剂的质量比为1000:(0.05~1)。

4.根据权利要求1-3任一项所述的钙钛矿薄膜,其特征在于,所述钙钛矿薄膜中的钙钛矿材料满足结构式ABX3,其中,...

【技术特征摘要】

1.一种钙钛矿薄膜,其特征在于,包括添加剂,所述添加剂包括含sp2杂化o原子官能团的聚合物、含sp3杂化n原子官能团的聚合物和含sp3杂化s原子官能团的聚合物中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜,其特征在于,所述含sp2杂化o原子官能团的聚合物包括聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯并二呋喃二酮中的至少一种;和/或,

3.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜,其特征在于,所述钙钛矿薄膜中钙钛矿材料与所述添加剂的质量比为1000:(0.05~1)。

4.根据权利要求1-3任一项所述的钙钛矿薄膜,其特征在于,所述钙钛矿薄膜中的钙钛矿材料满足结构式abx3,其中,a包括ch3nh3+、nhchnh3+和cs+中的至少一种;b包括pb2+和sn2+中的至少一种;x包括cl-、br-和i-中的至少一种。

5.一种制备权...

【专利技术属性】
技术研发人员:蒋立贤马冬昕董桂芳
申请(专利权)人:清华大学
类型:发明
国别省市:

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