动态随机存取存储器阵列结构及其操作方法和制造方法技术

本公开提供了动态随机存取存储器(DRAM)阵列结构及其操作方法和制造方法。根据本公开的DRAM阵列结构包括排列成M行N列的多个DRAM单元结构，每个DRAM单元结构包括存储电容器和选通晶体管。选通晶体管包括具有第一源/漏区、沟道区和第二源/漏区的竖直延伸的有源区，以及沿竖直方向设置在沟道区的第一侧的第一栅结构以及与第一侧相对的第二侧的第二栅结构，其中第一源/漏区和第二源/漏区中的一个连接到存储电容器。N个位线分别连接到N列DRAM单元结构中的选通晶体管的第一源/漏区和第二源/漏区中的另一个。M+1个字线分别连接到成镜像排列的M行DRAM单元结构的第一栅结构和第二栅结构。根据本公开，可以进一步实现DRAM阵列结构的尺寸微缩。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体技术的领域，具体地，本公开涉及动态随机存取存储器(dram)阵列结构及其操作方法和制造方法。

技术介绍

1、从二十世纪七十年代英特尔公司(intel corporation)专利技术动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)以来，dram被广泛应用于各类计算或控制电子电路系统中。

2、dram单元电路通常由一个用于选择的选通晶体管和一个用于存储电荷的存储电容器构成(1t1c结构)。在使用传统的基于平面结构的水平型晶体管，例如金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor，mosfet)实现选通晶体管的dram单元结构中，晶体管的源极、栅极和漏极沿平行于衬底表面的水平方向布置。由于晶体管的源极、栅极和漏极在水平方向上各自占有独立的面积，因此dram单元电路结构的微缩受到栅极长度和接触尺寸的限制，无法满足dram装置持续微缩的需求，进而限制了dram装置的集成度和带宽的进一步增加。>

3、因此，近本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种动态随机存取存储器DRAM阵列结构，包括：

2.根据权利要求1所述的DRAM阵列结构，

3.根据权利要求1所述的DRAM阵列结构，

4.根据权利要求1所述的DRAM阵列结构，

5.一种用于操作权利要求1至4中任一项所述的DRAM阵列结构的方法，包括：

6.一种用于制造根据权利要求1至4中任一项所述的DRAM阵列结构的方法，包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一字线槽和所述第二字线槽在所述竖直方向上具有不同的深度。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述第一字线槽底部形成的隔离介质...

【技术特征摘要】

1.一种动态随机存取存储器dram阵列结构，包括：

2.根据权利要求1所述的dram阵列结构，

3.根据权利要求1所述的dram阵列结构，

4.根据权利要求1所述的dram阵列结构，

5.一种用于操作权利要求1至4中任一项所述的dram阵列结构的方法，包括：

6....

【专利技术属性】
技术研发人员：潘立阳，张志刚，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：