【技术实现步骤摘要】
本公开的示例实施例涉及半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统。
技术介绍
1、已经期望一种能够在需要数据存储的数据存储系统中存储高容量数据的半导体装置。因此，已经研究了一种用于增加半导体装置的数据存储容量的方法。例如，作为用于增加半导体装置的数据存储容量的方法，已经提出了包括三维设置的存储器单元而不是二维设置的存储器单元的半导体装置。
技术实现思路
1、本公开的示例实施例提供一种容易制造并且具有改善的电性质和可靠性的半导体装置。
2、根据本公开的示例实施例，一种半导体装置包括：第一半导体结构，其包括第一衬底、位于第一衬底上的电路装置、电连接到电路装置的下互连结构、以及连接到下互连结构的下接合结构；以及第二半导体结构，其包括：第二衬底，其位于第一半导体结构上；栅电极，其在垂直于第二衬底的下表面的竖直方向上堆叠并且彼此间隔开；沟道结构，其穿透栅电极，在竖直方向上延伸，并且各自包括沟道层；
3、上互连结构，其位于栅电极和沟道结构下方；以及上接合结构，其连接到上互连结构并且接合到下接合结构，其中，第二半导体结构还包括：第一停止层，其位于第二衬底的下表面与栅电极之中的与第二衬底最邻近的最上的栅电极之间；以及第二停止层，其位于第二衬底的外侧区域上，并且其中，第一停止层的厚度比第二停止层的厚度薄。
4、根据本公开的示例实施例，一种数据存储系统包括：半导体存储装置，其包括第一半导体结构、第二半导体结构和输入/输出焊盘，第一半导体结构包括第一衬底和位于第一衬底
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1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述沟道结构中的每一个的最上端设置在比所述停止层的上表面的水平高的水平上。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述外围接触插塞的最上端位于所述停止层中。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述停止层中，与所述沟道结构接触的区域的厚度小于与所述外围接触插塞接触的区域的厚度。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述停止层包括绝缘材料。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二衬底包括掺杂的多晶硅层。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述沟道层的最上端与所述第二衬底接触，并且所述沟道结构中的每一个还包括设置在所述栅电极与所述沟道层之间的栅极电介质层。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述停止层与所述栅极电介质层接触。
10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中：
11.根据权利要求1所述的半导体装置
12.一种半导体装置，包括：
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述第二停止层的厚度为50nm或更大并且100nm或更小。
14.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述第一停止层的上表面和所述第二停止层的上表面共面。
15.根据权利要求12所述的半导体装置，还包括：
16.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，所述外围接触插塞的最上端位于所述第二停止层中。
17.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，所述沟道结构穿透所述第一停止层。
18.根据权利要求17所述的半导体装置，
19.一种数据存储系统，包括：
20.根据权利要求19所述的数据存储系统，其中，所述第一停止层和所述第二停止层包括氧化铝。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述沟道结构中的每一个的最上端设置在比所述停止层的上表面的水平高的水平上。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述外围接触插塞的最上端位于所述停止层中。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述停止层中，与所述沟道结构接触的区域的厚度小于与所述外围接触插塞接触的区域的厚度。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述停止层包括绝缘材料。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二衬底包括掺杂的多晶硅层。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述沟道层的最上端与所述第二衬底接触，并且所述沟道结构中的每一个还包括设置在所述栅电极与所述沟道层之间的栅极电介质层。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述停止层与所述栅极电介质层...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔茂林，沈善一，李知珉，张允瑄，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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