【技术实现步骤摘要】
本公开涉及发射显示装置，并且涉及在显示区域中包括感测单元的发射显示装置。
技术介绍
1、显示装置显示画面，并且可以包括液晶显示装置和有机发光二极管显示装置等。这样的显示装置在诸如移动电话、导航单元、数码相机、电子书、便携式游戏机和各种终端的各种电子装置中使用。
2、诸如有机发光二极管显示装置的显示装置可以具有其中显示装置可以使用柔性基板被弯折或折叠的结构。
3、在有机发光二极管显示装置中使用的像素的结构正在向各种方向发展。
4、包括发射显示装置的显示装置正在被开发成在显示区域中包括传感器以能够感测并且显示图像。
5、在本背景部分中公开的以上信息仅用于增强对所描述技术的背景的理解，并且因此，其可以包含不构成本领域普通技术人员可能已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、实施例已致力于提供其中包括非发射元件的感测单元也在显示区域中形成在显示单元旁边的发射显示装置。
2、本公开要实现的技术目的并不限于在本文中描述的那些，并且本领域技术人员将根据本公开的描述清楚地理解在本文中未提及的其它技术目的。
3、实施例提供了发射显示装置，该发射显示装置可以包括：第一电路部分和第二电路部分，设置在显示区域中；发光二极管，包括电连接到第一电路部分的阴极；以及非发射元件，包括电连接到第二电路部分的阴极，其中，非发射元件的阴极通过分隔件与发光二极管的阴极分离。
4、分隔件可以围绕非发射元件的阴极，并且可以包括在相反的侧表面上
5、非发射元件的阴极可以电连接到设置在非发射元件分隔件的上表面上的第一分隔件上导电层，设置在非发射元件分隔件的上表面上的第一分隔件上导电层和设置在分隔件的上表面上的第二分隔件上导电层可以彼此电连接，并且非发射元件的阴极可以通过设置在分隔件的上表面上的第二分隔件上导电层和设置在非发射元件分隔件的上表面上的第一分隔件上导电层电连接到设置在距离非发射元件的阴极一距离处的另一非发射元件的阴极。
6、分隔件可以围绕非发射元件的阴极，并且可以在相反的侧表面上具有基本上相同的倒锥形形状或者基本上相同的角度。
7、设置在设置有非发射元件的光接收区域中的阴极与设置在距离光接收区域一距离处的另一非发射元件的阴极可以是一体的而不通过分隔件被分离。
8、分隔件可以围绕发光二极管的阴极和非发射元件的阴极中的每一个，并且可以在相反的侧表面上具有基本上倒锥形的侧壁。
9、发射显示装置可以进一步包括通过接触孔电连接到非发射元件的阴极以传输第二驱动电压的附加的第二驱动电压线。
10、发光二极管的阳极可以接收第一驱动电压，并且非发射元件的阴极可以接收第二驱动电压。
11、第二电路部分可以包括：第一感测晶体管，包括电连接到非发射元件的阳极的栅电极、被传输公共电压的第一电极以及第二电极；第二感测晶体管，包括栅电极、电连接到第一感测晶体管的第二电极的第一电极以及电连接到感测线的第二电极；以及第三感测晶体管，包括栅电极、施加有复位电压的第一电极以及电连接到非发射元件的阳极的第二电极。
12、第一电路部分可以包括：第一晶体管，包括栅电极、第一电极以及第二电极；第二晶体管，包括栅电极、电连接到数据线的第一电极以及电连接到第一晶体管的栅电极的第二电极；第五晶体管，包括栅电极、电连接到发光二极管的阴极的第一电极以及电连接到第一晶体管的第一电极的第二电极；以及第六晶体管，包括栅电极、电连接到第一晶体管的第二电极的第一电极以及接收第二驱动电压的第二电极。
13、第一电路部分的第一晶体管、第二晶体管、第五晶体管和第六晶体管中的至少一个与第二电路部分的第一感测晶体管、第二感测晶体管和第三感测晶体管中的至少一个可以具有基本上相同的堆叠结构。
14、发射显示装置可以进一步包括将第五晶体管的第一电极和发光二极管的阴极电连接的阴极连接构件，其中，阴极连接构件可以具有三层结构，并且阴极连接构件和发光二极管的阴极可以通过侧接触方法电连接。
15、实施例提供了发射显示装置，该发射显示装置可以包括：显示部分，包括设置在显示区域中的第一电路部分以及电连接到第一电路部分的发光二极管；以及感测部分，包括设置在显示区域中的第二电路部分以及电连接到第二电路部分的非发射元件，其中，发光二极管的阴极可以电连接到第一电路部分，并且非发射元件的阴极可以电连接到第二电路部分。
16、发光二极管的阳极可以接收第一驱动电压，并且非发射元件的阳极可以接收第一电压。
17、第二电路部分可以包括：第一感测晶体管，包括电连接到非发射元件的阴极的栅电极、被传输公共电压的第一电极以及第二电极；第二感测晶体管，包括栅电极、电连接到第一感测晶体管的第二电极的第一电极以及电连接到感测线的第二电极；以及第三感测晶体管，包括栅电极、施加有第二驱动电压的第一电极以及电连接到非发射元件的阴极的第二电极。
18、第一电路部分可以包括：第一晶体管，包括栅电极、第一电极以及第二电极；第二晶体管，包括栅电极、电连接到数据线的第一电极以及电连接到第一晶体管的栅电极的第二电极；第五晶体管，包括栅电极、电连接到发光二极管的阴极的第一电极以及电连接到第一晶体管的第一电极的第二电极；以及第六晶体管，包括栅电极、电连接到第一晶体管的第二电极的第一电极以及接收第二驱动电压的第二电极。
19、第一电路部分的第一晶体管、第二晶体管、第五晶体管和第六晶体管中的至少一个与第二电路部分的第一感测晶体管、第二感测晶体管和第三感测晶体管中的至少一个可以具有基本上相同的堆叠结构。
20、发射显示装置可以进一步包括将第五晶体管的第一电极和发光二极管的阴极电连接的阴极连接构件，其中，阴极连接构件可以具有三层结构，并且阴极连接构件和发光二极管的阴极可以通过侧接触方法电连接。
21、发光二极管的阴极和非发射元件的阴极可以通过分隔件彼此分离。
22、分隔件可以围绕发光二极管的阴极和非发射元件的阴极中的每一个，并且可以在相反的侧表面上具有基本上倒锥形的侧壁。
23、根据实施例，在发射显示装置中，感测单元也可以在显示区域中形成在显示单元旁边，使得除了显示图像之外还可以执行感测操作。根据实施例的发射显示装置，可以通过使用分隔件分别将多个电压施加到显示单元的发光二极管和感测单元的非发射元件。
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1.一种发射显示装置，包括：
2.根据权利要求1所述的发射显示装置，其中，所述分隔件围绕所述非发射元件的所述阴极，并且包括在相反的侧表面上具有倒锥形形状或者不同的角度的非发射元件分隔件。
3.根据权利要求2所述的发射显示装置，其中
4.根据权利要求1所述的发射显示装置，其中，所述分隔件围绕所述非发射元件的所述阴极，并且在相反的侧表面上具有相同的倒锥形形状或者相同的角度。
5.根据权利要求4所述的发射显示装置，其中，设置在设置有所述非发射元件的光接收区域中的阴极与设置在距离所述光接收区域一距离处的另一非发射元件的阴极是一体的而不通过所述分隔件被分离。
6.根据权利要求1所述的发射显示装置，其中，所述分隔件围绕所述发光二极管的所述阴极和所述非发射元件的所述阴极中的每一个，并且在相反的侧表面上具有倒锥形的侧壁。
7.根据权利要求6所述的发射显示装置，进一步包括：
8.根据权利要求1所述的发射显示装置，其中
9.根据权利要求8所述的发射显示装置，其中，所述第二电路部分包括：
10.
11.根据权利要求10所述的发射显示装置，其中，所述第一电路部分的所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管中的至少一个与所述第二电路部分的所述第一感测晶体管、所述第二感测晶体管和所述第三感测晶体管中的至少一个具有相同的堆叠结构。
12.根据权利要求10所述的发射显示装置，进一步包括：
13.一种发射显示装置，包括：
14.根据权利要求13所述的发射显示装置，其中
15.根据权利要求14所述的发射显示装置，其中，所述第二电路部分包括：
16.根据权利要求15所述的发射显示装置，其中，所述第一电路部分包括：
17.根据权利要求16所述的发射显示装置，其中，所述第一电路部分的所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管中的至少一个与所述第二电路部分的所述第一感测晶体管、所述第二感测晶体管和所述第三感测晶体管中的至少一个具有相同的堆叠结构。
18.根据权利要求17所述的发射显示装置，进一步包括：
19.根据权利要求13至18中任一项所述的发射显示装置，其中，所述发光二极管的所述阴极和所述非发射元件的所述阴极通过分隔件彼此分离。
20.根据权利要求19所述的发射显示装置，其中，所述分隔件围绕所述发光二极管的所述阴极和所述非发射元件的所述阴极中的每一个，并且在相反的侧表面上具有倒锥形的侧壁。
...【技术特征摘要】
1.一种发射显示装置，包括：
2.根据权利要求1所述的发射显示装置，其中，所述分隔件围绕所述非发射元件的所述阴极，并且包括在相反的侧表面上具有倒锥形形状或者不同的角度的非发射元件分隔件。
3.根据权利要求2所述的发射显示装置，其中
4.根据权利要求1所述的发射显示装置，其中，所述分隔件围绕所述非发射元件的所述阴极，并且在相反的侧表面上具有相同的倒锥形形状或者相同的角度。
5.根据权利要求4所述的发射显示装置，其中，设置在设置有所述非发射元件的光接收区域中的阴极与设置在距离所述光接收区域一距离处的另一非发射元件的阴极是一体的而不通过所述分隔件被分离。
6.根据权利要求1所述的发射显示装置，其中，所述分隔件围绕所述发光二极管的所述阴极和所述非发射元件的所述阴极中的每一个，并且在相反的侧表面上具有倒锥形的侧壁。
7.根据权利要求6所述的发射显示装置，进一步包括：
8.根据权利要求1所述的发射显示装置，其中
9.根据权利要求8所述的发射显示装置，其中，所述第二电路部分包括：
10.根据权利要求9所述的发射显示装置，其中，所述第一电路部分包括：
11.根据权利要求10所述的发射显示装置，其中，所述第一电路部分的所述第一晶体管、所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔忠硕，俞炳汉，高裕敏，朴注灿，李大荣，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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