驱动背板及制备方法和显示装置制造方法及图纸

技术编号：41278991 阅读：6 留言：0更新日期：2024-05-11 09:30

本公开的实施例提供了一种驱动背板及制备方法和显示装置，涉及显示技术领域，提高晶体管的性能。该显示面板包括驱动背板包括衬底和第一半导体层。第一半导体设置于衬底上，且包括多个有源层图案；有源层图案包括源极区、漏极区和沟道区，沟道区设置于源极区和漏极区之间，沟道区的氢离子浓度大于或者等于1×10^21atoms/cm^3。上述驱动背板用于显示装置中。

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【技术实现步骤摘要】

本公开涉及显示，尤其涉及一种驱动背板及制备方法和显示装置。

技术介绍

1、在制备显示装置的过程中，需要根据低温多晶硅晶体管的应用环境对晶体管的阈值电压vth进行相应设计，使阈值电压控制在一定大小范围内以满足应用需求。但是在对晶体管的阈值电压vth进行相应设计的过程中，晶体管的性能会降低。

技术实现思路

1、本公开的实施例的目的在于提供一种驱动背板及制备方法和显示装置，用于提高晶体管的性能。

2、为达到上述目的，本公开的实施例提供了如下技术方案：

3、一方面，提供一种驱动背板。所述驱动背板包括衬底和第一半导体层。所述第一半导体设置于所述衬底上，且包括多个有源层图案；所述第一半导体层的材料包括低温多晶硅；所述有源层图案包括源极区、漏极区和沟道区，所述沟道区设置于所述源极区和所述漏极区之间，所述沟道区的氢离子浓度大于或者等于1×10^21atoms/cm^3。

4、上述驱动背板中，氢离子可以钝化第一半导体层中的缺陷，从而减少第一半导体层中的缺陷，进而提高晶体管的性能。向第一半导体层掺杂氢离子可以使晶体管的阈值电压控制在一定大小范围内以满足应用需求，从而可以取消相关技术中的掺杂磷离子或者硼离子步骤。这样的话，可以降低第一半导体层中的缺陷增多风险，提高晶体管的性能。

5、在一些实施例中，所述源极区和所述漏极区的氢离子浓度均为0.5×10^20atoms/cm^3～1.5×10^20atoms/cm^3。

6、在一些实施例中，驱动背板

7、在一些实施例中，所述第一半导体层的材料包括低温多晶硅材料和氧化物半导体材料中的至少一者。

8、在一些实施例中，所述源极区和所述漏极区中的磷离子浓度大于所述沟道区的磷离子浓度；和/或，所述源极区和所述漏极区中的硼离子浓度大于所述沟道区的硼离子浓度。

9、在一些实施例中，所述沟道区的磷离子浓度和/或所述硼离子浓度为0atoms/cm^3。

10、另一方面，提供一种显示装置。所述显示装置包括如上述任一实施例所述的驱动背板和发光器件。所述发光器件设置于所述驱动背板的一侧。

11、上述显示装置具有与上述一些实施例中提供的驱动背板相同的结构和有益技术效果，在此不再赘述。

12、又一方面，提供一种驱动背板的制备方法。所述制备方法包括在衬底上形成第一半导体层，并向所述第一半导体层掺杂氢离子；其中，所述第一半导体层的材料包括低温多晶硅，所述第一半导体层包括多个有源层，所述有源层包括源极区、漏极区和沟道区，所述沟道区设置于所述源极区和所述漏极区之间，所述沟道区的氢离子浓度大于或者等于1×10^21atoms/cm^3。

13、上述驱动背板的制备方法具有与上述一些实施例中提供的驱动背板相同的结构和有益技术效果，在此不再赘述。

14、在一些实施例中，所述在衬底上形成第一半导体层，并向第一半导体层掺杂氢离子包括：形成第一半导体层；在所述第一半导体层远离所述衬底的一侧形成第一绝缘层；所述第一绝缘层在所述衬底上的正投影覆盖所述衬底；向所述第一半导体层掺杂氢离子。

15、在一些实施例中，所述在衬底上形成第一半导体层，并向第一半导体层掺杂氢离子包括：在所述衬底上形成第一初始半导体层；所述第一初始半导体层在所述衬底上的正投影覆盖所述衬底；向所述第一初始半导体层掺杂氢离子；图案化第一初始半导体层形成第一半导体层；在所述第一半导体层远离所述衬底的一侧形成第一绝缘层。

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【技术保护点】

1.一种驱动背板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述源极区和所述漏极区的氢离子浓度均为0.5×10^20atoms/cm^3～1.5×10^20atoms/cm^3。

3.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述第一半导体层的材料包括低温多晶硅材料和氧化物半导体材料中的至少一者。

5.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述源极区和所述漏极区中的磷离子浓度大于所述沟道区的磷离子浓度；和/或，所述源极区和所述漏极区中的硼离子浓度大于所述沟道区的硼离子浓度。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的驱动背板，其特征在于，所述沟道区的磷离子浓度或所述硼离子浓度为0atoms/cm^3。

7.一种显示装置，其特征在于，包括：

8.一种驱动背板的制备方法，其特征在于，包括：

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底上形成第一半导体层，并向第一半导体层掺杂氢离子包括：

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【技术特征摘要】

1.一种驱动背板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述源极区和所述漏极区的氢离子浓度均为0.5×10^20atoms/cm^3～1.5×10^20atoms/cm^3。

3.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述第一半导体层的材料包括低温多晶硅材料和氧化物半导体材料中的至少一者。

5.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述源极区和所述漏极区中的磷离子浓度大于所述沟道区的磷离子浓度；和/或，所述源...

【专利技术属性】
技术研发人员：王超璐，赵梦，关峰，杜建华，吕杨，吴昊，王易成，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

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