【技术实现步骤摘要】
实施方式涉及布线结构和包括该布线结构的半导体器件。
技术介绍
1、随着电子工业的发展，半导体器件趋于具有高性能和小尺寸。因此，包括在半导体器件中的多个半导体元件也已高度集成和小型化。此外，半导体器件包括将半导体元件彼此连接的布线结构。根据半导体元件的高集成和小型化的趋势，布线结构可以将半导体元件彼此连接。
技术实现思路
1、实施方式可以通过提供一种布线结构来实现，该布线结构包括：衬底；下绝缘层，在衬底上；下布线结构，在垂直方向上延伸并穿过下绝缘层；间隔物，围绕下布线结构的侧壁；覆盖绝缘层，在下绝缘层上；以及通路结构，在垂直方向上延伸并穿过覆盖绝缘层，其中通路结构在垂直方向上与下布线结构和间隔物重叠，通路结构包括在垂直方向上延伸并穿过间隔物的至少一部分的突出部分。
2、实施方式可以通过提供一种半导体器件来实现，该半导体器件包括：衬底；多个电容器结构，包括在衬底上的多个下电极、覆盖所述多个下电极的电容器电介质层、以及填充所述多个下电极之间的空间并覆盖电容器电介质层的上表面的上电极；...
【技术保护点】
1.一种布线结构，包括：
2.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述间隔物和所述覆盖绝缘层包括相同的材料。
3.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述间隔物和所述覆盖绝缘层每个包括硅碳氮化物(SiCN)、硅氮化物(SiN)、硅氧化物(SiO2)、硅氮氧化物(SiON)、硅氧碳氮化物(SiOCN)或其组合。
4.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述突出部分的水平宽度小于所述间隔物的水平宽度。
5.根据权利要求1所述的布线结构，其中在所述垂直方向上，所述突出部分的下表面在所述间隔物的上表面和所述间隔物的下表面之间。
...【技术特征摘要】
1.一种布线结构，包括：
2.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述间隔物和所述覆盖绝缘层包括相同的材料。
3.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述间隔物和所述覆盖绝缘层每个包括硅碳氮化物(sicn)、硅氮化物(sin)、硅氧化物(sio2)、硅氮氧化物(sion)、硅氧碳氮化物(siocn)或其组合。
4.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述突出部分的水平宽度小于所述间隔物的水平宽度。
5.根据权利要求1所述的布线结构，其中在所述垂直方向上，所述突出部分的下表面在所述间隔物的上表面和所述间隔物的下表面之间。
6.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述间隔物的水平宽度是约10nm至约30nm。
7.根据权利要求1所述的布线结构，其中：
8.根据权利要求7所述的布线结构，其中所述下间隔物和所述上间隔物包括相同的材料。
9.根据权利要求1所述的布线结构，其中：
10.根据权利要求9所述的布线结构，其中所述第一覆盖绝缘层和所述间隔物包括相同的材料...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。