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公开了一种布线结构和包括其的半导体器件。该布线结构包括：衬底；下绝缘层，在衬底上；下布线结构，在垂直方向上延伸并穿过下绝缘层；间隔物，围绕下布线结构的侧壁；覆盖绝缘层，在下绝缘层上；以及通路结构，在垂直方向上延伸并穿过覆盖绝缘层，其中通路结...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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