【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及但不限于半导体的器件设计及其制造，尤指一种半导体器件及其制造方法、电子设备。
技术介绍
1、随着集成电路技术的发展，器件的关键尺寸日益缩小，单个芯片所包含的器件种类及数量随之增加，使得工艺生产中的任何微小差异都可能对器件性能造成影响。
2、为了尽可能降低产品的成本，人们希望在有限的衬底上做出尽可能多的器件单元。自从摩尔定律问世以来，业界提出了各种半导体结构设计和工艺优化，以满足人们对当前产品的需求。
技术实现思路
1、以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
2、本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备，提高电容器性能。
3、本申请提供了一种半导体器件，包括：垂直于衬底方向堆叠的多个存储单元，所述多个存储单元包括：
4、多个晶体管，分布于不同层沿着垂直所述衬底方向堆叠；
5、与所述多个晶体管一一对应连接的多个电容器，所述电容器与所述晶体管沿平行于衬底的第一方向分布；
...【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：垂直于衬底方向堆叠的多个存储单元，所述多个存储单元包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一环形结构朝向所述晶体管一侧的侧壁与所述晶体管连接。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述电容器还包括：第一连接电极，所述第一连接电极填充所述第一环形结构且连接所述第一电极。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一环形结构包括两个端面和连接两个所述端面的环形侧壁，所述两个端面分别形成所述第一环形结构的两个开口，所述第二电极还覆盖所述第一环形结构的两个所...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：垂直于衬底方向堆叠的多个存储单元，所述多个存储单元包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一环形结构朝向所述晶体管一侧的侧壁与所述晶体管连接。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述电容器还包括：第一连接电极，所述第一连接电极填充所述第一环形结构且连接所述第一电极。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一环形结构包括两个端面和连接两个所述端面的环形侧壁，所述两个端面分别形成所述第一环形结构的两个开口，所述第二电极还覆盖所述第一环形结构的两个所述端面和第一环形结构的两个所述开口。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述电容器还包括：第二连接电极，所述第二连接电极设置在所述第二电极背离所述第一电极一侧且连接所述第二电极，且所述第二连接电极填充沿垂直于衬底方向相邻的所述第一电极之间的区域。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括多层所述存储单元，每层所述存储单元包含存储单元阵列，所述存储单元阵列包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：王耐征，王祥升，田超，贾礼宾，石峰，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：
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