【技术实现步骤摘要】
本公开涉及在绝缘体上硅(soi)衬底中具有凹式(recessed)栅极的器件及其制造方法。
技术介绍
1、晶体管器件，诸如互补金属氧化物半导体(cmos)晶体管，被用于一系列产品，诸如5g设备、移动电话、天线开关和基站射频(rf)开关。为了在减小尺寸的同时提高这种器件的性能，需要考虑一些折衷。例如，在rf开关中，ron与coff(rfvmax)之间必须存在折衷，其中ron确定插入或信号损耗，coff确定关断状态隔离，并且rfvmax确定隔离击穿。目标是优化这些值，以提高器件的性能。
2、降低coff值的一个趋势是使用薄衬底。然而，这种方法增加了器件的成本和复杂性。此外，太薄的衬底会造成其他问题，诸如由于在器件性能期间信号损耗的增加而造成的较高的ron值。另一示例是，当衬底变得太薄时，为了保持低电阻所需的高掺杂剂浓度区域，有必要在选择的区域使衬底再生长。虽然栅极下方的衬底薄是有益的，但是在器件的其他区域相反可能是不利的。一种补救措施是在薄衬底不利的区域再生长，然而，这种生长工艺使制造工艺变得复杂并且增加了成本。目前，减小衬底的...
【技术保护点】
1.一种电子器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述凹部包括侧壁，所述侧壁从所述第一硅层的所述第一表面延伸至所述凹部中的第二表面，所述第二绝缘层在所述侧壁以及所述凹部中的所述第二表面上。
3.根据权利要求2所述的电子器件，其特征在于，所述第一栅极部分具有在所述凹部的所述侧壁之间的第一尺寸，并且所述第二栅极部分具有在第一边缘与第二边缘之间的第二尺寸，所述第一尺寸小于所述第二尺寸。
4.根据权利要求2所述的电子器件，其特征在于，所述第一栅极部分具有在所述凹部的所述侧壁之间的第一尺寸，并且所述第二栅极部...
【技术特征摘要】
1.一种电子器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述凹部包括侧壁，所述侧壁从所述第一硅层的所述第一表面延伸至所述凹部中的第二表面，所述第二绝缘层在所述侧壁以及所述凹部中的所述第二表面上。
3.根据权利要求2所述的电子器件，其特征在于，所述第一栅极部分具有在所述凹部的所述侧壁之间的第一尺寸，并且所述第二栅极部分具有在第一边缘与第二边缘之间的第二尺寸，所述第一尺寸小于所述第二尺寸。
4.根据权利要求2所述的电子器件，其特征在于，所述第一栅极部分具有在所述凹部的所述侧壁之间的第一尺寸，并且所述第二栅极部分具有在第一边缘与第二边缘之间的第二尺寸，所述第一尺寸与所述第二尺寸基本上相等。
5.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述凹部从第一侧向相对的第二侧弯曲。
6.根据权利要求5所述的电子器件，其特征在于，所述第一栅极部分具有在所述第一侧与所述第二侧之间的第一尺寸，并且所述第二栅极部分具有在第一侧与第...
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