【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及发光装置、发光装置系统、以及制造和使用发光装置的方法。发光装置被配置成控制从其发射的亮度的形状。通过焊盘尺寸和层厚度来控制形状。
技术介绍
1、对一些机动车系统光学器件的分析表明，成形表面亮度可能是合期望的。表面亮度是可变的，这取决于应用，诸如在中心达到峰值或者从一侧到另一侧具有梯度的地方。具有最佳系统光学器件效率的表面亮度由系统光学器件品质因数(fom)指示。例如，对于表面亮度集中在中心中的发光二极管(led)管芯，具有全内反射(tir)透镜的系统光学器件的功效会更高。另一方面，对于一侧具有峰值亮度和高对比度的led管芯，具有反射器的系统光学器件的功效将更高。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种照明装置，包括：
2.根据权利要求1所述的照明装置，其中高欧姆损耗大于0.06欧姆/sq。
3.根据权利要求1所述的照明装置，还包括在第二电介质材料中的孔，所述电接触中的一个电接触通过所述孔电连接到结合层。
4.根据权利要求3所述的照明装置，其中：
5.根据权利要求1所述的照明装置，其中所述n掺杂半导体材料和所述p掺杂半导体材料包括氮化镓。
6.根据权利要求1所述的照明装置，还包括在第一电介质材料和第二电介质材料中的开口，所述开口在所述电接触中的一个电接触的覆盖区内。
7.根据权利要求1所...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种照明装置，包括：
2.根据权利要求1所述的照明装置，其中高欧姆损耗大于0.06欧姆/sq。
3.根据权利要求1所述的照明装置，还包括在第二电介质材料中的孔，所述电接触中的一个电接触通过所述孔电连接到结合层。
4.根据权利要求3所述的照明装置，其中：
5.根据权利要求1所述的照明装置，其中所述n掺杂半导体材料和所述p掺杂半导体材料包括氮化镓。
6.根据权利要求1所述的照明装置，还包括在第一电介质材料和第二电介质材料中的开口，所述开口在所述电接触中的一个电接触的覆盖区内。
7.根据权利要求1所述的照明装置，还包括：
8.根据权利要求7所述的照明装置，还包括：
9.根据权利要求8所述的照明装置，其中所述n通孔均匀分布在所述边缘电接触内。
10.一种照明装置，包括：
11.根据权利要求10所述的照明装置，其中所述第一结合层的厚度小于或等于一微米，并且小于所述第二结合层的厚度。
12.根据权利要求10所述的照明装置，还包括在第三电...
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