具有公共阳极的发光二极管（LED）管芯和装置制造方法及图纸

本文中的发光二极管（LED）阵列、管芯及装置包括：电连通的多个像素，其包括每个像素的阴极和公共复合阳极。每个像素通过p过孔中的p金属插塞、p金属层和p接触材料与公共阳极连通。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开的实施例总体上涉及发光二极管（led）、管芯和具有其的装置，以及制造和使用其的方法。更具体地，实施例涉及包括公共阳极的微发光二极管装置。

技术介绍

1、发光二极管（led）是当电流流过它时发射可见光的半导体光源。led组合了p型半导体与n型半导体。led通常使用iii-v族化合物半导体。iii-v族化合物半导体在比使用其他半导体的装置的温度更高的温度下提供稳定操作。iii-v族化合物典型地形成在由蓝宝石氧化铝（al2o3）或碳化硅（sic）形成的衬底上。例如，可以在衬底或晶片上外延生长诸如gan之类的一种或多种iii族氮化物材料以制备半导体层。衬底可保留为最终产品的部分，或可在处理期间移除。

2、有机发光二极管（i-led）已广泛用于形成不同类型的显示器、led矩阵和包括汽车自适应前灯的光引擎、增强现实（ar）头戴式耳机、虚拟现实（vr）头戴式耳机、混合现实（mr）头戴式耳机、智能眼镜和用于移动电话、智能手表、监视器和tv的显示器。在这些架构中的独立的led像素可以具有几平方毫米至几平方微米的面积，这取决于矩阵或显示器尺寸以及其每英寸的像本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管（LED）管芯，包括：

2.根据权利要求1所述的LED管芯，包括每个像素一个n过孔、每个像素一个e过孔以及每个像素两个p过孔。

3.根据权利要求1所述的LED管芯，其中，多个像素限定由所述公共阳极包围的矩阵。

4.根据权利要求1所述的LED管芯，其中，所述结间隔件包括：邻近于每个所述像素的侧壁的多个沟槽间隔件，以及邻近于每个所述沟槽间隔件和/或每个所述n过孔间隔件侧壁的内间隔件。

5. 根据权利要求1所述的LED管芯，其中，所述半导体层的台面的厚度在1 µm至10 µm的范围内。

6.根据权利要求1所述的LED...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种发光二极管（led）管芯，包括：

2.根据权利要求1所述的led管芯，包括每个像素一个n过孔、每个像素一个e过孔以及每个像素两个p过孔。

3.根据权利要求1所述的led管芯，其中，多个像素限定由所述公共阳极包围的矩阵。

4.根据权利要求1所述的led管芯，其中，所述结间隔件包括：邻近于每个所述像素的侧壁的多个沟槽间隔件，以及邻近于每个所述沟槽间隔件和/或每个所述n过孔间隔件侧壁的内间隔件。

5. 根据权利要求1所述的led管芯，其中，所述半导体层的台面的厚度在1 µm至10 µm的范围内。

6.根据权利要求1所述的led管芯，其中，所述第一间隔件、第二间隔件和钝化介电材料独立地包括以下各项中的一个或多个：氧化硅（sio）、二氧化硅（sio2）、氮化硅（sin）、碳化硅（sic）、氧化铝（al2o3）和氮化铝（aln）。

7.根据权利要求1所述的led管芯，其中，所述公共阳极、所述p接触材料和所述n接触材料包括以下各项中的一个或多个：铜（cu）、铝（al）、镍（ni）、钛（ti）、钛-钨（tiw）、银（ag）、金（au）、铂（pt）和钯（pd）。

8.根据权利要求1所述的led管芯，其中，所述电流扩展层包括铟锡氧化物（ito）和/或铟锌氧化物（izo）。

9.根据权利要求1所述的led管芯，其中，所述n型层包括n-gan，并且所述p型层包括p-gan。

10.根据权利要求1所述的led管芯，其中，所述沟槽间隔件跨越大于或等于所述半导体层的厚度的95%的纵向距离。

11. 根据权利要求1所述的led管芯，其中，所述台面的像素节距在1 µm至10...

【专利技术属性】
技术研发人员：T·洛佩兹，E·W·杨，
申请(专利权)人：亮锐有限责任公司，
类型：发明
国别省市：