【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种磁性存储器件及其制作方法。
技术介绍
1、随着物联网和人工智能的飞速发展，与之伴随的对于数据存储的要求也越来越高。磁存储器（magnetic random access memory，mram）以其非挥发性，读写速度快，寿命长等特点被广泛应用于航空航天、汽车、消费电子、大型计算器等领域。
2、mram可根据读写方式的不同可以划分为stt-mram（spin transfer torque-mram）、sot-mram（spin orbit torque-mram）等。其中，sot-mram的核心部件为磁隧道结（magnetic tunnel junction，mtj）和自旋轨道矩层（spin orbit torque，sot）。mtj为三明治结构，即两层铁磁层间夹着一层氧化物层。氧化物层为隧穿层，两层铁磁层分别为自由层和固定层，自由层与自旋轨道矩层接触。固定层的磁矩方向固定，自由层的磁矩方向可由通电流的自旋轨道矩层进行翻转。当自由层和固定层的磁矩方向相同时，对外表现出低阻特性；当自由层和固定层的...
【技术保护点】
1.一种磁性存储器件，其特征在于，包括：磁隧道结，所述磁隧道结以掩模层为掩模刻蚀形成；
2.根据权利要求1所述的磁性存储器件，其特征在于，沿所述掩模层的高度方向，所述第一分体的尺寸小于所述第三分体的尺寸，且小于所述第二分体的尺寸。
3.根据权利要求1所述的磁性存储器件，其特征在于，所述第二分体背离所述第一分体的表面与所述第三分体背离所述第一分体的表面齐平。
4.根据权利要求1-3任一项所述的磁性存储器件，其特征在于，所述第三分体的刻蚀速率大于所述第一分体的刻蚀速率，且大于所述第二分体的刻蚀速率。
5.根据权利要求1-3任...
【技术特征摘要】
1.一种磁性存储器件，其特征在于，包括：磁隧道结，所述磁隧道结以掩模层为掩模刻蚀形成；
2.根据权利要求1所述的磁性存储器件，其特征在于，沿所述掩模层的高度方向，所述第一分体的尺寸小于所述第三分体的尺寸，且小于所述第二分体的尺寸。
3.根据权利要求1所述的磁性存储器件，其特征在于，所述第二分体背离所述第一分体的表面与所述第三分体背离所述第一分体的表面齐平。
4.根据权利要求1-3任一项所述的磁性存储器件，其特征在于，所述第三分体的刻蚀速率大于所述第一分体的刻蚀速率，且大于所述第二分体的刻蚀速率。
5.根据权利要求1-3任一项所述的磁性存储器件，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜晓东，张丛，刘宏喜，王戈飞，
申请(专利权)人：青岛海存微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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