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本申请提供一种磁性存储器件及其制作方法。该磁性存储器件包括：磁隧道结，磁隧道结以掩模层为掩模刻蚀形成；掩模层包括：第一分体、设置在第一分体远离磁隧道结的一侧的第二分体，以及环绕第二分体的第三分体；第一分体和第二分体导电，第三分体绝缘；其中，...
该专利属于青岛海存微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青岛海存微电子有限公司授权不得商用。

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