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本公开的实施例涉及电子器件。一种晶体管器件包括绝缘体上硅(SOI)衬底，该SOI衬底具有多个多晶硅栅极，该多晶硅栅极包括多个凹式栅极和多个非凹式栅极。多个凹式栅极被凹入在SOI衬底的顶硅层中，并且多个非凹式栅极在顶硅层上。该多个凹式栅极包括...
该专利属于意法半导体国际公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体国际公司授权不得商用。

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