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一种半导体器件及其制造方法、电子设备，所述半导体器件包括：垂直于衬底方向堆叠的多个存储单元，多个存储单元包括：多个晶体管，分布于不同层沿着垂直衬底方向堆叠；与多个晶体管一一对应连接的多个电容器，电容器与晶体管沿第一方向分布；电容器的第一电极...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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