一种PZT-CZ异质结构超高击穿电场薄膜材料的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种PZT‑CZ异质结构超高击穿电场薄膜材料的制备方法，属于化学工程技术领域。本发明专利技术通过将PZT前驱体溶液旋涂Pt(111)/TiO2/SiO2/Si(100)衬底上制得PZT湿膜；所得PZT湿膜通过干燥、热解、退火制得一层PZT薄膜；重复前面步骤，制得多层PZT薄膜；将CZ前驱体溶液旋涂于所得的多层PZT薄膜上制得CZ湿膜；所得CZ湿膜通过干燥、热解、退火制得一层CZ薄膜；重复前面步骤，制得多层CZ薄膜；将PZT前驱体溶液旋涂于所得的多层CZ薄膜上制得PZT湿膜；将所得PZT湿膜通过干燥、热解、退火制得到一层PZT薄膜；重复前面步骤，制得多层PZT薄膜。本发明专利技术的有益效果是：即获得具有纯度高、致密性好、平均晶粒尺寸小、损耗低、抗击穿电场高等优点的薄膜。本发明专利技术制备方法与制备过程简单、可控性强、制备周期短、成本低廉,是一种方便快捷的制备技术。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种pzt-cz异质结构超高击穿电场薄膜材料的制备方法，属于化学工程。

技术介绍

1、随着不可再生能源地消耗、枯竭，开发可再生新型绿色能源迫在眉睫。可再生能源有风能、太阳能、水能、潮汐能、地热等，这些能源需要转化为电能才可以应用，而电能如何储存和运输是电能应用的关键部分。在飞速发展的电子科技、信息技术时代，微型化、高集成化以及高科技领域对于高储能密度高效率的需求逐步提高，基于铁电/反铁电薄膜/厚膜的研究越来越多。传统的体相陶瓷材料因自身相材料微观结构和性能的影响，难以承受高的击穿电场，因而储能密度值比较低，基于以上的种种限制，迫切需要寻找一种具有超高电场击穿强度的薄膜材料。反铁电pbzro3因存在电场诱导的反铁电相-铁电相相变而被认为是pzt材料体系中极化特点最为鲜明的。相比于pbzro3反铁电薄膜，pbzr0.52ti0.48o3薄膜具有高的最大极化强度pm值，这对储能密度是有利的，问题是其剩余极化强度pr值也很大且pbzr0.52ti0.48o3薄膜的击穿场强不高，因此，通过工艺控制或者结构设计等途径来解决上述瓶颈问题，对优化pbzr0.本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种PZT-CZ异质结构超高击穿电场薄膜材料的制备方法,其特征在于，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种PZT-CZ异质结构超高击穿电场薄膜材料的制备方法,其特征在于，步骤(1)所述PZT通式为PbZrxTi1-x，其中0.2＜x<0.8。所述PZT前驱体溶液浓度为0.3M。

3.根据权利要求1所述一种PZT-CZ异质结构超高击穿电场薄膜材料的制备方法,其特征在于，步骤(4)所述旋涂转速为4000rpm，旋涂时间为40s。

4.根据权利要求1所述一种PZT-CZ异质结构超高击穿电场薄膜材料的制备方法,其特征在于，步骤(2)，步...

【技术特征摘要】

1.一种pzt-cz异质结构超高击穿电场薄膜材料的制备方法,其特征在于，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种pzt-cz异质结构超高击穿电场薄膜材料的制备方法,其特征在于，步骤(1)所述pzt通式为pbzrxti1-x，其中0.2＜x<0.8。所述pzt前驱体溶液浓度为0.3m。

3.根据权利要求1所述一种pzt-cz异质结构超高击穿电场薄膜材料的制备方法,其特征在于，步骤(4)所述旋涂转速为4000rpm，旋涂时间为40s。

4.根据权利要求1所述一种pzt-cz异质结构超高击穿电场薄膜材料的制备方法,其特征在于，步骤(2)，步骤(5)和步骤(8)所述干燥温度均为200-400℃，干燥时间均为2-10min；所述热解温度均为400-600℃，热解时间均为2-10min；所述退火温度均为600-800℃，退火时间为均2-10min，退火环境均为空气氛围。

5.根据权利要求1所述的一种pzt-...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩飞飞，李东旭，李韩，杨雪宁，全潮洋，李舜，
申请(专利权)人：贺州学院，
类型：发明
国别省市：