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本发明公开了一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括衬底，衬底表面具有多个第一凹槽；第一温度补偿层，位于第一凹槽内，且覆盖第一凹槽的底部和侧部；压电层，压电层设于衬底设置第一凹槽的一侧上；以及位于压电层上的叉指换能器。本发明公开的半导体...
该专利属于苏州晶湛半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州晶湛半导体有限公司授权不得商用。

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