本公开提供了一种存储器装置及其形成方法。所述存储器装置为垂直三维交叉点存储器，具有多个存储单元形成在垂直的位线与水平的字线的交叉点。这些存储单元由二个层形成，能够实现比传统技术更高的密度。其中一个层可选地包含双向阈值开关材料，以允许信息储存。
【技术实现步骤摘要】
本公开是关于存储单元，包含用于集成电路的存储单元。
技术介绍
1、在用于集成电路的存储单元中，提供低延迟、更低功率、低成本、和高密度全部的组合是有益的。现存存储单元的实施方案欠缺上述特性中的一或更多者。
技术实现思路
1、一种一或更多个计算机的系统能够配置成凭借安装在系统上的软件、固件、硬件、或其组合来执行特定的操作或动作，操作中的所述软件、固件、硬件、或其组合在操作中令系统执行和/或控制动作。一或更多个计算机程序能够配置成凭借包含指令来执行特定的操作或动作，所述指令在由数据处理装置执行时令其执行动作。
2、一第一方面包含一种存储器装置。该存储器装置包含：一中央电极；一层堆叠，具有定义容纳中央电极的一孔洞的一内侧壁；且其中，层堆叠包括多个；其中，每一个包括一左电极、一可控导电元件、和一右电极；其中，至少一部份的可控导电元件电性串联于(i)左电极与中央电极之间和(ii)右电极与中央电极之间。
3、本公开的实施例可选地包含单独或任意组合的下列一或更多个特征。
>4、层堆叠还包括一本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种存储器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中：
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中：
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中：
5.一种存储器装置的形成方法，包括：
6.根据权利要求5所述的存储器装置的形成方法，其中：
7.根据权利要求6所述的存储器装置的形成方法，还包括形成垂直的多个沟道延伸穿过该层堆叠，其中，垂直的这些沟道彼此平行。
8.根据权利要求5所述的存储器装置的形成方法，其中，形成导电的该中央电极包括形成一缓冲结构设置在导电的该中央电极与该可控导电材料的所述层之...
【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中：
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中：
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中：
5.一种存储器装置的形成方法，包括：
6.根据权利要求5所述的存储器装置的形成方法，其中：
7.根据权利要求6所述的存储器装置的形成方法，还包括形成垂直的多个沟道延伸穿过该层堆叠，其中，...
【专利技术属性】
技术研发人员：龙翔澜，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。