【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文所述的实施例总体上涉及显示器。更具体地，本文所述的实施例涉及子像素电路和形成可用于诸如有机发光二极管(oled)显示器这样的显示器的子像素电路的方法。
技术介绍
0、现有技术的描述
1、包括显示设备的输入设备可以用于各种电子系统。有机发光二极管(oled)为发光二极管(led)，其中发射电致发光层为响应于电流而发光的有机化合物的膜。如果发射的光穿过上面制造有面板的透明或半透明底部电极和基板，则oled设备被分类为底部发射设备。基于从oled设备发射的光是否通过在制造设备之后添加的盖射出来对顶部发射设备进行分类。目前，oled用于创造许多电子器件中的显示设备。目前的电子器件制造商正在促使这些显示设备缩小尺寸，同时提供的分辨率比几年前更高。
2、oled像素图案化目前基于限制面板尺寸、像素分辨率和基板尺寸的处理。应该使用照相平版印刷术来使像素图案化，而不是利用精细金属掩模。目前，oled像素图案化需要在图案化处理之后剥离有机材料。当剥离有机材料时，有机材料留下破坏oled性能的颗粒问题。因此，本领域需要子像素电路和形成子像素电路的方法，以增加每英寸像素并改善oled性能。
技术实现思路
1、在一个实施例中，提供了一种设备。该设备包括基板和设置在基板上方的多个相邻的像素限定层(pdl)结构。每个pdl结构包括上表面和多个子像素。每个子像素包括相邻的第一悬垂部，每个第一悬垂部由横向延伸通过基部结构的主体结构的主体延伸部限定。基部结构设置在pdl结构的上表面上方，
2、在另一个实施例中，提供了一种设备。该设备具有多个子像素，每个子像素包括基板的区段和设置在基板上方的至少一个含金属层。相邻的第一悬垂部分别由横向延伸通过基部结构的像素限定层(pdl)结构的pdl延伸部限定。基部结构设置在至少一个含金属层的上表面上方。pdl延伸部设置在基部结构上方，并且pdl结构的pdl主体设置在基板上方。主体结构设置在pdl结构的上表面上方。相邻的第二悬垂部分别由横向延伸通过主体结构的主体延伸部的悬垂部的顶部结构的顶部延伸部限定。顶部结构设置在主体结构上方，并且主体结构设置在pdl结构上方。空穴注入层(hil)材料设置在至少一个含金属层上方并与至少一个含金属层接触，并且设置在相邻的第一悬垂部下面。附加的有机发光二极管(oled)材料设置在hil材料上方。附加的oled材料设置在主体延伸结构的第一部分上方。阴极设置在附加的oled材料上方，阴极在相邻的第二悬垂部下面延伸，并且与主体延伸结构的第二部分接触。
3、在另一个实施例中，提供了一种设备。该设备包括基板和设置在基板上方的多个相邻的像素限定层(pdl)结构。多个相邻的悬垂结构设置在pdl结构的上表面上方。悬垂结构中的每一个包括设置在pdl结构的上表面上方的基部结构、设置在基部结构上方的主体结构，以及设置在基部结构上方的顶部结构。基部结构包括非导电材料。主体结构包括导电材料。顶部结构包括横向延伸通过主体结构的顶部延伸部。该设备进一步包括多个子像素，每个子像素包括阳极、设置在阳极上方并与该阳极接触的空穴注入层(hil)材料、设置在hil材料上方的附加的有机发光二极管(oled)材料，以及设置在附加的oled材料上方的阴极。hil材料在顶部延伸部下面延伸，并且与基部结构的非导电材料的第一部分接触。阴极设置在附加的oled材料上方，在相邻的悬垂部下面延伸，并且与在主体结构的侧壁处的导电材料接触。
4、在又一个实施例中，提供了一种设备。该设备包括基板、设置在基板上方的多个第一相邻的像素限定层(pdl)结构、设置在第一pdl结构的上表面上方的多个相邻的悬垂结构，以及多个子像素。悬垂结构中的每一个包括设置在第一pdl结构的上表面上方的第二pdl结构，第二pdl结构包括非导电材料；设置在第二pdl结构的顶部上方的主体结构，主体结构包括导电材料；以及设置在主体结构上方的顶部结构，顶部结构包括横向延伸通过主体结构的顶部延伸部。多个子像素各自包括阳极、设置在阳极上方并与该阳极接触的空穴注入层(hil)材料、设置在hil材料上方的附加的有机发光二极管(oled)材料，以及设置在附加的oled材料上方的阴极。hil材料在顶部延伸部下面延伸，并且与第二pdl结构的非导电材料接触。阴极在相邻的悬垂结构下面延伸。
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1.一种设备，包括：
2.如权利要求1所述的设备，其中所述基部结构包括含金属材料或无机材料。
3.如权利要求2所述的设备，其中所述含金属材料是透明导电氧化(TCO)材料。
4.如权利要求1所述的设备，其中所述主体结构包括金属或金属合金中的至少一种的导电材料。
5.如权利要求1所述的设备，其中所述顶部结构包括无机材料。
6.如权利要求1所述的设备，其中所述附加的OLED材料延伸通过所述HIL材料的端点以与所述PDL结构接触。
7.如权利要求1所述的设备，其中所述HIL材料延伸通过所述附加的OLED材料的端点以与所述PDL结构接触。
8.如权利要求1所述的设备，其中所述HIL材料设置在所述阳极上方并与所述阳极接触，并且设置在所述相邻的第一悬垂部和第二悬垂部下面，使得所述HIL与所述主体延伸部接触，其中设置在所述相邻的第一悬垂部下面的所述附加的OLED材料的一部分将设置在所述阳极上方的所述HIL材料与所述主体延伸部上的所述HIL材料分离。
9.如权利要求1所述的设备，其中所述附加的OLED材
10.如权利要求1所述的设备，其中封装层设置在所述阴极上方，其中所述封装层延伸：
11.一种具有多个子像素的设备，每个子像素包括：
12.如权利要求11所述的设备，其中所述主体结构包括金属或金属合金中的至少一种的导电材料。
13.如权利要求11所述的设备，其中所述顶部结构包括无机材料。
14.如权利要求11所述的设备，其中所述附加的OLED材料延伸通过所述HIL材料的端点以与所述至少一个含金属层接触。
15.如权利要求11所述的设备，其中所述HIL材料延伸通过所述附加的OLED材料的端点以与所述至少一个含金属层接触。
16.如权利要求11所述的设备，其中所述附加的OLED材料包括空穴传输层(HTL)、发射层(EML)和电子传输层(ETL)中的一者或多者。
17.如权利要求11所述的设备，其中所述基部结构包括含金属材料。
18.如权利要求11所述的设备，其中封装层设置在所述阴极上方，其中第一封装层延伸：
19.如权利要求11所述的设备，其中所述至少一个含金属层是第一TCO层、设置在所述第一TCO层上方的第二金属层和设置在所述第二金属层上方的第三TCO层的堆叠层，其中所述基部结构设置在所述第三TCO层的上表面上方。
20.一种设备，包括：
21.如权利要求20所述的设备，其中所述基部结构包括非导电材料，并且所述PDL结构包括有机材料或无机材料。
22.如权利要求20所述的设备，其中所述附加的OLED材料延伸以与所述主体结构接触。
23.如权利要求20所述的设备，其中所述导电材料包括铝(Al)、铝钕(AlNd)、钼(Mo)、钼钨(MoW)、铜(Cu)或以上项的组合。
24.如权利要求20所述的设备，其中所述顶部结构包括聚合物材料、无机材料或金属材料。
25.如权利要求20所述的设备，其中所述附加的OLED材料包括空穴传输层(HTL)、发射层(EML)和电子传输层(ETL)。
26.如权利要求20所述的设备，其中封装层设置在所述阴极上方，其中第一封装层延伸：
27.一种设备，包括：
28.如权利要求27所述的设备，其中所述导电材料包括铝(Al)、铝钕(AlNd)、钼(Mo)、钼钨(MoW)、铜(Cu)或以上项的组合中的一个。
29.如权利要求27所述的设备，其中所述附加的OLED材料包括空穴传输层(HTL)、发射层(EML)和电子传输层(ETL)。
30.如权利要求27所述的设备，其中封装层设置在所述阴极上方，其中第一封装层延伸：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种设备，包括：
2.如权利要求1所述的设备，其中所述基部结构包括含金属材料或无机材料。
3.如权利要求2所述的设备，其中所述含金属材料是透明导电氧化(tco)材料。
4.如权利要求1所述的设备，其中所述主体结构包括金属或金属合金中的至少一种的导电材料。
5.如权利要求1所述的设备，其中所述顶部结构包括无机材料。
6.如权利要求1所述的设备，其中所述附加的oled材料延伸通过所述hil材料的端点以与所述pdl结构接触。
7.如权利要求1所述的设备，其中所述hil材料延伸通过所述附加的oled材料的端点以与所述pdl结构接触。
8.如权利要求1所述的设备，其中所述hil材料设置在所述阳极上方并与所述阳极接触，并且设置在所述相邻的第一悬垂部和第二悬垂部下面，使得所述hil与所述主体延伸部接触，其中设置在所述相邻的第一悬垂部下面的所述附加的oled材料的一部分将设置在所述阳极上方的所述hil材料与所述主体延伸部上的所述hil材料分离。
9.如权利要求1所述的设备，其中所述附加的oled材料包括空穴传输层(htl)、发射层(eml)和电子传输层(etl)中的一者或多者。
10.如权利要求1所述的设备，其中封装层设置在所述阴极上方，其中所述封装层延伸：
11.一种具有多个子像素的设备，每个子像素包括：
12.如权利要求11所述的设备，其中所述主体结构包括金属或金属合金中的至少一种的导电材料。
13.如权利要求11所述的设备，其中所述顶部结构包括无机材料。
14.如权利要求11所述的设备，其中所述附加的oled材料延伸通过所述hil材料的端点以与所述至少一个含金属层接触。
15.如权利要求11所述的设备，其中所述hil材料延伸通过所述附加的oled材料的端点以与所述至少一个含金属层接触。
16.如...
【专利技术属性】
技术研发人员：林裕新，郑知泳，陈重嘉，李汀珉，吴文豪，安治高志，加藤卓司，迪特尔·哈斯，金时经，斯蒂芬·凯勒，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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