【技术实现步骤摘要】
本申请涉及存半导体，尤其涉及一种存储阵列、其制备方法、存储器及电子设备。
技术介绍
1、存储器(memory)是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。随着当前智能社会的数据量快速增加，对存储器的容量需求正在急速提升。这些大容量存储的应用对存储阵列的存储单元密度需求越来越高，而平面存储器受限于存储单元的物理尺寸限制，存储密度的提升逐渐停滞，因此大容量存储器已经向三维集成方向进行发展。在三维集成的存储器中，包括晶体管阵列和电容阵列，晶体管阵列用来控制电容阵列的选址与读写操作。而提高存储器容量的一个方法是增加位线(bit line，bl)上的电容数量，但这导致位线上的寄生电容增加，相应的存储窗口(memory window，mw)降低，因此降低位线的寄生电容非常重要。
技术实现思路
1、本申请提供一种存储阵列、其制备方法、存储器及电子设备，用于降低位线的寄生电容。
2、第一方面，本申请实施例提了一种存储阵列，该存储阵列主要包括衬底，位于该衬底上的第一导电层和位于该第一导电层上方的晶体...
【技术保护点】
1.一种存储阵列，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，所述晶体管阵列具体包括：依次层叠在所述第一导电层上方的第一介质层、第二导电层和第二介质层；
3.如权利要求2所述的存储阵列，其特征在于，还包括：位于每一所述位线与每一所述第一过孔之间的金属托盘，且所述金属托盘在所述衬底的正投影覆盖所述第一过孔在所述衬底的正投影。
4.如权利要求3所述的存储阵列，其特征在于，还包括：位于所述第一导电层与所述第一介质层之间的第三介质层以及贯穿所述第三介质层的多个第二过孔；
5.如权利要求4所述的存储阵列，其特征...
【技术特征摘要】
1.一种存储阵列，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，所述晶体管阵列具体包括：依次层叠在所述第一导电层上方的第一介质层、第二导电层和第二介质层；
3.如权利要求2所述的存储阵列，其特征在于，还包括：位于每一所述位线与每一所述第一过孔之间的金属托盘，且所述金属托盘在所述衬底的正投影覆盖所述第一过孔在所述衬底的正投影。
4.如权利要求3所述的存储阵列，其特征在于，还包括：位于所述第一导电层与所述第一介质层之间的第三介质层以及贯穿所述第三介质层的多个第二过孔；
5.如权利要求4所述的存储阵列，其特征在于，还包括位于相邻的所述位线之间且位于所述第一空气隙结构顶部的介质部。
6.如权利要求5所述的存储阵列，其特征在于，还包括覆盖所述位线侧壁的阻挡层。
7.如权利要求3所述的存储阵列，其特征在于，还包括位于相邻的所述金属托盘之间的第二空气隙结构，且所述第二空气隙结构与所述第一空气隙结构连通。
8.如权利要求7所述的存储阵列，其特征在于，还包括位于相邻的所述金属托盘之间且位于所述第二空气隙结构顶部的介质部。
9.如权利要求8所述的存储阵列，其特征在于，还包括覆盖所述位线侧壁以及所述金属托盘侧壁的阻挡层。
10.如权利要求5或8所述的存储阵列，其特征在于，所述介质部的材料包括掺杂的二氧化硅、有机聚合物和多孔材料中至少一种。
11.如权利要求6或9所述的存储阵列，其特征在于，所述阻挡层的材料包括sicn...
【专利技术属性】
技术研发人员：范人士，卜思童，方亦陈，林琪，丁士成，许俊豪，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。