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本申请公开了一种存储阵列、其制备方法、存储器及电子设备。其中，该存储阵列包括衬底，位于该衬底上的第一导电层和位于该第一导电层上方的晶体管阵列。其中，该第一导电层包括间隔排列的多条位线，且相邻位线之间具有第一空气隙结构；晶体管阵列中包括多个晶...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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