低导通电阻阻断型浪涌保护器件制造技术

本发明专利技术涉及一种低导通电阻阻断型浪涌保护器件，具有小触发电流应用下的低导通电阻特性，至少包括第一、第二、第三耗尽型场效应晶体管Q1、Q2、Q3，第一、第二可变电阻元件、第一、第二电阻构成串联结构的导通路径，形成电路模块，其中，Q1的漏极与模块输入端相连，栅极与Q2的源极相连；Q2的漏极与模块输出端相连，栅极与Q1的源极相连；第一可变电阻元件连接Q1的源极和Q3的源极；第二可变电阻元件连接Q2的源极和Q3的漏极；Q3的栅极与第一电阻和第二电阻分别相连；第一电阻另一端与模块输入端相连，第二电阻另一端与模块输出端相连。本发明专利技术能够特定地保护单个负载，且可用在高带宽的系统中。?

Low on resistance blocking surge protection device

The present invention relates to a low turn-on resistance blocking surge protection device, with a small low trigger conduction current under the application of resistance characteristics, including at least first, second and third depletion field effect transistors Q1 and Q2, Q3, the first and the second variable resistance element, the first and the second electric conduction structure composed of series resistance the path forming circuit module, wherein, the drain of the Q1 and the module is connected with the input end of the gate, and the source of Q2 is connected to the drain of the Q2 module; and the output end is connected to the gate, and Q1 connected to the source electrode; first variable resistor element connected to the Q1 source and Q3 source; second variable resistance element connection the source and drain of a Q2 Q3; Q3 gate and the first resistor and the second resistor are respectively connected with the first resistor; and the other end is connected with the input end of the module, the second resistance and the other end connected to the output end module. The invention can protect a single load in particular and can be used in a high bandwidth system. ?

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件领域，具体涉及半导体浪涌保护器件的领域，为一种低导 通电阻阻断型浪涌保护器件。
技术介绍
电源浪涌或瞬态过压定义为电子线路中出现显著超出设计值的电压，它主要有雷 击、电力线搭接、电力线感应、或者地弹。当浪涌足够高，瞬态过压将对计算机、电话等电子 设备造成严重的损害。它同样也会造成设备寿命减少。瞬态电压浪涌抑制器限制了电力浪涌耦合到设备的能量，从而保护电子设备不被 损害。这类的产品包括浪涌保护晶闸管、氧化物压敏电阻和雪崩二极管。这两种类型的 器件都是并联在被保护电路，瞬态电流会从它们提供的并联通路流出。这类并联保护存在 较多问题，它们包括(1)与具体的浪涌类型有关，需要选择繁多的型号匹配；(2)会限制系统带宽(容性负载限制它们只能用于低带宽的应用)；(3)需要多个元件构成的复杂设计，导致高的失效率；(4)经常需要较大的空间；(5)针对保护设计方案而言，单位成本高。目前得益于不间断电源供应器(UPS)的引入，使家用电脑、卫星接收和其他家 庭应用设备已经拥有更为安全的保护。但是，计算机和其他数据系统通过数据线与外部世 界相连，这些数据线在非常低的电压信号工作而且非本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低导通电阻阻断型浪涌保护器件，包括耗尽型场效应晶体管和电阻，其特征在于：所述浪涌保护器件包括第一耗尽型场效应晶体管（Ｑ１）、第二耗尽型场效应晶体管（Ｑ２）、第三耗尽型场效应晶体管（Ｑ３）、第一可变电阻元件（１０１）、第二可变电阻元件（１０２）、第一电阻（Ｒ１）和第二电阻（Ｒ２）构成串联结构的导通路径，其中，第一耗尽型场效应晶体管（Ｑ１）的漏极与模块输入端相连，栅极与第二耗尽型场效应晶体管（Ｑ２）的源极相连；第二耗尽型场效应晶体管（Ｑ２）的漏极与模块输出端相连，栅极与第一耗尽型场效应晶体管（Ｑ１）的源极相连；第一可变电阻元件（１０１）连接第一耗尽型场效应晶体管（Ｑ１）的源极和第三耗尽型场效应...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：苏海伟，张关保，王永录，叶力，吴兴农，
申请(专利权)人：上海长园维安微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31